창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-IRFU9120PBF | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | IRFR9120, IRFU9120 | |
| 비디오 파일 | MOSFET Technologies for Power Conversion | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Vishay Siliconix | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET P-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 100V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 5.6A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 600m옴 @ 3.4A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 18nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 390pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 2.5W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | TO-251-3 짧은 리드(Lead), IPak, TO-251AA | |
| 공급 장치 패키지 | TO-251AA | |
| 표준 포장 | 75 | |
| 다른 이름 | *IRFU9120PBF | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | IRFU9120PBF | |
| 관련 링크 | IRFU91, IRFU9120PBF 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통 | |
| 893D475X9035C2TE3 | 4.7µF Molded Tantalum Capacitors 35V 2312 (6032 Metric) 1.8 Ohm 0.236" L x 0.126" W (6.00mm x 3.20mm) | 893D475X9035C2TE3.pdf | ||
![]() | 594D687X9010R2T035 | 680µF Conformal Coated Tantalum Capacitors 10V 2824 (7260 Metric) 45 mOhm 0.283" L x 0.236" W (7.20mm x 6.00mm) | 594D687X9010R2T035.pdf | |
![]() | RR03JR56TB | RES 0.56 OHM 3W 5% AXIAL | RR03JR56TB.pdf | |
![]() | ZW1R5-0512 | ZW1R5-0512 COSEL SMD or Through Hole | ZW1R5-0512.pdf | |
![]() | MB87017APF | MB87017APF FUJITTSU SOP | MB87017APF.pdf | |
![]() | SK025M0022AZF-0511 | SK025M0022AZF-0511 YAGEO DIP | SK025M0022AZF-0511.pdf | |
![]() | HP#384424-001 | HP#384424-001 HP SMD or Through Hole | HP#384424-001.pdf | |
![]() | TESVD0J157M12R | TESVD0J157M12R NEC SMD or Through Hole | TESVD0J157M12R.pdf | |
![]() | QG82005 | QG82005 INTEL BGA | QG82005.pdf | |
![]() | MAX8527EUDAZ | MAX8527EUDAZ MAXIM TSSOP-14 | MAX8527EUDAZ.pdf | |
![]() | VNQ500PA | VNQ500PA ST SOP-12 | VNQ500PA.pdf |