창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-IRFU9024NPBF | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | IRFR9024NPbF, IRFU9024NPbF | |
제품 교육 모듈 | High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers) | |
설계 리소스 | IRFR9024NTRPBF Saber Model IRFR9024NTRPBF Spice Model | |
PCN 설계/사양 | Leadframe Update 02/Jun/2015 Leadframe Retraction 03/Jun/2015 | |
PCN 포장 | Package Drawing Update 19/Aug/2015 | |
EDA/CAD 모델 | Accelerated Designs에서 다운로드 | |
카탈로그 페이지 | 1513 (KR2011-KO PDF) | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Infineon Technologies | |
계열 | HEXFET® | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET P-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 55V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 11A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 175m옴 @ 6.6A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 19nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 350pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 38W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | TO-251-3 짧은 리드(Lead), IPak, TO-251AA | |
공급 장치 패키지 | IPAK(TO-251) | |
표준 포장 | 75 | |
다른 이름 | *IRFU9024NPBF SP001557756 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | IRFU9024NPBF | |
관련 링크 | IRFU902, IRFU9024NPBF 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 |
![]() | C1608X7R2A472K/10 | 4700pF 100V 세라믹 커패시터 X7R 0603(1608 미터법) 0.063" L x 0.031" W(1.60mm x 0.80mm) | C1608X7R2A472K/10.pdf | |
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![]() | MD27C128-150/B | MD27C128-150/B INTEL CWDIP | MD27C128-150/B.pdf | |
![]() | S-P1242-T2 | S-P1242-T2 NA SOT23-5 | S-P1242-T2.pdf | |
![]() | AE1507-5L | AE1507-5L CHIP-Rai SOT252-5 | AE1507-5L.pdf | |
![]() | MSP430F2131TRGE | MSP430F2131TRGE TI QFN24 | MSP430F2131TRGE.pdf | |
![]() | CW24C128DR | CW24C128DR CW SOP8 | CW24C128DR.pdf | |
![]() | 1N4004/S1G | 1N4004/S1G JGD SMD or Through Hole | 1N4004/S1G.pdf | |
![]() | LTC1515CS8-3#TRPBF | LTC1515CS8-3#TRPBF LT SOP8 | LTC1515CS8-3#TRPBF.pdf | |
![]() | 2H26 | 2H26 ORIGINAL DIP | 2H26.pdf |