창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-IRFU9010PBF | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | IRFR,IRFU,SiHFR,SiHFU_9010 | |
| 비디오 파일 | MOSFET Technologies for Power Conversion | |
| 카탈로그 페이지 | 1523 (KR2011-KO PDF) | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Vishay Siliconix | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET P-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 50V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 5.3A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 500m옴 @ 2.8A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 9.1nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 240pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 25W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | TO-251-3 짧은 리드(Lead), IPak, TO-251AA | |
| 공급 장치 패키지 | TO-251AA | |
| 표준 포장 | 3,000 | |
| 다른 이름 | *IRFU9010PBF | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | IRFU9010PBF | |
| 관련 링크 | IRFU90, IRFU9010PBF 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통 | |
![]() | AA0201FR-07357RL | RES SMD 357 OHM 1% 1/20W 0201 | AA0201FR-07357RL.pdf | |
![]() | CRCW12104K02FKEAHP | RES SMD 4.02K OHM 1% 3/4W 1210 | CRCW12104K02FKEAHP.pdf | |
![]() | K483 | K483 ORIGINAL TO-220 | K483.pdf | |
![]() | V2410051 | V2410051 ORIGINAL DIP | V2410051.pdf | |
![]() | EMD2S | EMD2S RECTRON SMD-4 | EMD2S.pdf | |
![]() | CR14250SE-HR10FDK | CR14250SE-HR10FDK SANYO SMD or Through Hole | CR14250SE-HR10FDK.pdf | |
![]() | SMG35VB152M16X25LL | SMG35VB152M16X25LL UMITEDCHEMI-CON DIP | SMG35VB152M16X25LL.pdf | |
![]() | GFX9935 | GFX9935 N/A NA | GFX9935.pdf | |
![]() | 7210-6C | 7210-6C NeltronIndustrial SMD or Through Hole | 7210-6C.pdf | |
![]() | KFG2G16Q2A-DEB80 | KFG2G16Q2A-DEB80 SAMSUNG FBGA | KFG2G16Q2A-DEB80.pdf | |
![]() | SST85LD0256-120-5C-40CN-K | SST85LD0256-120-5C-40CN-K SST SMD or Through Hole | SST85LD0256-120-5C-40CN-K.pdf | |
![]() | DM8020N | DM8020N NS DIP | DM8020N.pdf |