창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-IRFU5410PBF | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | IRFR5410PbF, IRFU5410PbF | |
제품 교육 모듈 | High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers) | |
PCN 설계/사양 | Leadframe Update 02/Jun/2015 Leadframe Retraction 03/Jun/2015 | |
PCN 포장 | Package Drawing Update 19/Aug/2015 | |
카탈로그 페이지 | 1513 (KR2011-KO PDF) | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Infineon Technologies | |
계열 | HEXFET® | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET P-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 100V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 13A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 205m옴 @ 7.8A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 58nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 760pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 66W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | TO-251-3 짧은 리드(Lead), IPak, TO-251AA | |
공급 장치 패키지 | IPAK(TO-251) | |
표준 포장 | 75 | |
다른 이름 | *IRFU5410PBF SP001557796 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | IRFU5410PBF | |
관련 링크 | IRFU54, IRFU5410PBF 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 |
RCWE061215L0JMEA | RES SMD 0.015 OHM 5% 1W 0612 | RCWE061215L0JMEA.pdf | ||
3362S-200K | 3362S-200K BOURNS SMD or Through Hole | 3362S-200K.pdf | ||
LTM4600-SS#PBF | LTM4600-SS#PBF LINEAR LGA | LTM4600-SS#PBF.pdf | ||
UPD77C25L-506 | UPD77C25L-506 NEC PLCC | UPD77C25L-506.pdf | ||
ULN3753 | ULN3753 ALLEGRO SIP | ULN3753.pdf | ||
MZ4753 | MZ4753 TS/SUNMATE SOD-123 | MZ4753.pdf | ||
EZ117-3.3 | EZ117-3.3 IR SOT223 | EZ117-3.3.pdf | ||
CH153 | CH153 ST TO220-5 | CH153.pdf | ||
S563GH | S563GH ORIGINAL TO-252 | S563GH.pdf | ||
MT28F320J3GR-11A | MT28F320J3GR-11A MICRON TSOP | MT28F320J3GR-11A.pdf | ||
RPE110COG030C50 DIP-3P | RPE110COG030C50 DIP-3P MURATA SMD or Through Hole | RPE110COG030C50 DIP-3P.pdf | ||
RMBA19500 | RMBA19500 RAY QFP-12P | RMBA19500.pdf |