창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-IRFU430APBF | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | IRFR,IRFU,SiHFR,SiHFU_430A | |
비디오 파일 | MOSFET Technologies for Power Conversion | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Vishay Siliconix | |
계열 | - | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 500V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 5A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 1.7옴 @ 3A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4.5V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 24nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 490pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 110W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | TO-251-3 짧은 리드(Lead), IPak, TO-251AA | |
공급 장치 패키지 | TO-251AA | |
표준 포장 | 3,000 | |
다른 이름 | *IRFU430APBF | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | IRFU430APBF | |
관련 링크 | IRFU43, IRFU430APBF 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통 |
K220J15C0GF53L2 | 22pF 50V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 방사 0.157" L x 0.098" W(4.00mm x 2.50mm) | K220J15C0GF53L2.pdf | ||
NH2M224 | FUSE SQUARE 224A 500VAC/440VDC | NH2M224.pdf | ||
RCP1206W91R0GS2 | RES SMD 91 OHM 2% 11W 1206 | RCP1206W91R0GS2.pdf | ||
74F114D | 74F114D S SOP-3.9MM | 74F114D.pdf | ||
S-8538B33UA | S-8538B33UA SEIKO SOT-89 | S-8538B33UA.pdf | ||
SRG6.3VB331M8X7LL | SRG6.3VB331M8X7LL UnitedCHEMI-CON DIP-2 | SRG6.3VB331M8X7LL.pdf | ||
T2.5-6T-KK81 | T2.5-6T-KK81 MINI SMD or Through Hole | T2.5-6T-KK81.pdf | ||
MYGk-3KV/5KA | MYGk-3KV/5KA ANZHOU SMD or Through Hole | MYGk-3KV/5KA.pdf | ||
SW3372E-H(B) | SW3372E-H(B) AUK ROHS | SW3372E-H(B).pdf | ||
N82523 | N82523 INTEL PLCC44 | N82523.pdf | ||
NJM79M09A | NJM79M09A JRC IC | NJM79M09A.pdf | ||
HS2006P-06MF-E | HS2006P-06MF-E FUJI SMD or Through Hole | HS2006P-06MF-E.pdf |