창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-IRFU420APBF | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | IRFR,IRFU,SiHFR,SiHFU_420A | |
| 비디오 파일 | MOSFET Technologies for Power Conversion | |
| EDA/CAD 모델 | Accelerated Designs에서 다운로드 | |
| 카탈로그 페이지 | 1524 (KR2011-KO PDF) | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Vishay Siliconix | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 500V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 3.3A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 3옴 @ 1.5A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4.5V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 17nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 340pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 83W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | TO-251-3 짧은 리드(Lead), IPak, TO-251AA | |
| 공급 장치 패키지 | TO-251AA | |
| 표준 포장 | 3,000 | |
| 다른 이름 | *IRFU420APBF | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | IRFU420APBF | |
| 관련 링크 | IRFU42, IRFU420APBF 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통 | |
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![]() | TS153F33CDT | 15.36MHz ±30ppm 수정 18pF 40옴 -20°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) HC49/US | TS153F33CDT.pdf | |
![]() | IXTH180N10T | MOSFET N-CH 100V 180A TO-247 | IXTH180N10T.pdf | |
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![]() | SM5160CM-ET(160) | SM5160CM-ET(160) NPC NA | SM5160CM-ET(160).pdf | |
![]() | APW7150QAI-TRG | APW7150QAI-TRG ANPEC SMD or Through Hole | APW7150QAI-TRG.pdf | |
![]() | MHP20100F | MHP20100F BI SMD or Through Hole | MHP20100F.pdf | |
![]() | 254PW05E0076-S1F5H | 254PW05E0076-S1F5H NCM SMD or Through Hole | 254PW05E0076-S1F5H.pdf | |
![]() | MOC217R2-M(Q) | MOC217R2-M(Q) FAIRCHILD SMD or Through Hole | MOC217R2-M(Q).pdf | |
![]() | FJ232 | FJ232 IR TO-3 | FJ232.pdf | |
![]() | EVQPFO06K | EVQPFO06K PANASONIC SMD or Through Hole | EVQPFO06K.pdf |