창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-IRFU220PBF | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | IRFR,IRFU,SiHFR,SiHFU_220 | |
| 비디오 파일 | MOSFET Technologies for Power Conversion | |
| EDA/CAD 모델 | Accelerated Designs에서 다운로드 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Vishay Siliconix | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 200V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 4.8A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 800m옴 @ 2.9A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 14nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 260pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 2.5W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | TO-251-3 짧은 리드(Lead), IPak, TO-251AA | |
| 공급 장치 패키지 | TO-251AA | |
| 표준 포장 | 75 | |
| 다른 이름 | *IRFU220PBF | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | IRFU220PBF | |
| 관련 링크 | IRFU22, IRFU220PBF 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통 | |
![]() | 9HT12-32.768KAZF-T | 32.768kHz ±30ppm 수정 12.5pF 90k옴 -40°C ~ 85°C 표면실장(SMD, SMT) 2-SMD | 9HT12-32.768KAZF-T.pdf | |
![]() | ERJ-1TNF11R0U | RES SMD 11 OHM 1% 1W 2512 | ERJ-1TNF11R0U.pdf | |
![]() | CMF5510M000GLR6 | RES 10M OHM 1/2W 2% AXIAL | CMF5510M000GLR6.pdf | |
![]() | CMSSH-3S | CMSSH-3S CENTRAL SMD or Through Hole | CMSSH-3S.pdf | |
![]() | E16/8/5-3C92 | E16/8/5-3C92 FERROX SMD or Through Hole | E16/8/5-3C92.pdf | |
![]() | PO640A | PO640A TI TO92 | PO640A.pdf | |
![]() | 2SC1953-S | 2SC1953-S ORIGINAL 126F | 2SC1953-S.pdf | |
![]() | FBM-11-451616-800AT | FBM-11-451616-800AT CHN 1808L | FBM-11-451616-800AT.pdf | |
![]() | GDH91376F | GDH91376F AUGAT SMD or Through Hole | GDH91376F.pdf | |
![]() | 257975/ | 257975/ BOSE HSOP | 257975/.pdf | |
![]() | CM150TJ-12F | CM150TJ-12F MITSUBISHI SMD or Through Hole | CM150TJ-12F.pdf | |
![]() | SM20B-SH2S-TF | SM20B-SH2S-TF ORIGINAL SMD or Through Hole | SM20B-SH2S-TF.pdf |