창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-IRFSL9N60ATRR | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 납 함유 / RoHS 미준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | IRFSL9N60A | |
비디오 파일 | MOSFET Technologies for Power Conversion | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Vishay Siliconix | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 600V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 9.2A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 750m옴 @ 5.5A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 49nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1400pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 170W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | TO-262-3, 긴 리드(Lead), I²Pak, TO-262AA | |
공급 장치 패키지 | I2PAK | |
표준 포장 | 800 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | IRFSL9N60ATRR | |
관련 링크 | IRFSL9N, IRFSL9N60ATRR 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통 |
![]() | 1812HA221KAT9A | 220pF 3000V(3kV) 세라믹 커패시터 C0G, NP0 1812(4532 미터법) 0.177" L x 0.126" W(4.50mm x 3.20mm) | 1812HA221KAT9A.pdf | |
![]() | 04023J4R0BBWTR | 4.0pF Thin Film Capacitor 25V 0402 (1005 Metric) 0.039" L x 0.022" W (1.00mm x 0.55mm) | 04023J4R0BBWTR.pdf | |
![]() | AZ23C5V6-SN-G3-08 | DIODE ZENER DL 5.6V 300MW SOT23 | AZ23C5V6-SN-G3-08.pdf | |
![]() | MUN2141T1G | TRANS PREBIAS PNP 230MW SC59 | MUN2141T1G.pdf | |
![]() | Y079314K3000A9L | RES 14.3K OHM 0.6W 0.05% RADIAL | Y079314K3000A9L.pdf | |
![]() | 2442CJ | 2442CJ ST PLCC44 | 2442CJ.pdf | |
![]() | UUT1J2R2MCR1GS | UUT1J2R2MCR1GS NICHICON SMD | UUT1J2R2MCR1GS.pdf | |
![]() | 39LV010-70JC | 39LV010-70JC PMC PLCC | 39LV010-70JC.pdf | |
![]() | BD45392G-TR | BD45392G-TR ROHM SOT23-5 | BD45392G-TR.pdf | |
![]() | K4S563233F-HN60 | K4S563233F-HN60 SAMSUNG BGA | K4S563233F-HN60.pdf | |
![]() | 9250-226-RC | 9250-226-RC ATC SMD | 9250-226-RC.pdf |