창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-IRFSL7734PBF | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | IRF(B,S,SL)7734PbF | |
PCN 설계/사양 | Copper Plating Update 31/Aug/2015 | |
PCN 포장 | Package Drawing Update 19/Aug/2015 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Infineon Technologies | |
계열 | HEXFET®, StrongIRFET™ | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 75V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 183A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 3.5m옴 @ 100A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 3.7V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 270nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 10150pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 290W | |
작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | TO-262-3, 긴 리드(Lead), I²Pak, TO-262AA | |
공급 장치 패키지 | TO-262 | |
표준 포장 | 50 | |
다른 이름 | SP001557658 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | IRFSL7734PBF | |
관련 링크 | IRFSL77, IRFSL7734PBF 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 |
![]() | 100MXC5600MEFCSN35X50 | 5600µF 100V Aluminum Capacitors Radial, Can - Snap-In 3000 Hrs @ 105°C | 100MXC5600MEFCSN35X50.pdf | |
![]() | VS-150K60A | DIODE GEN PURP 600V 150A DO205AA | VS-150K60A.pdf | |
![]() | SP1008-682K | 6.8µH Shielded Wirewound Inductor 282mA 1.43 Ohm Max Nonstandard | SP1008-682K.pdf | |
![]() | 105706-HMC466LP4 | BOARD EVAL HMC466LP4E | 105706-HMC466LP4.pdf | |
![]() | IMC35188M12 | Inductive Proximity Sensor 0.315" (8mm) IP67 Cylinder, Threaded - M18 | IMC35188M12.pdf | |
![]() | RT1N441M | RT1N441M MITSUBISH SMD or Through Hole | RT1N441M.pdf | |
![]() | PB6172ML-5 | PB6172ML-5 HIGHLY SMD or Through Hole | PB6172ML-5.pdf | |
![]() | NJW4800 | NJW4800 JRC SMD | NJW4800.pdf | |
![]() | BQ20Z95DBTG4 | BQ20Z95DBTG4 NetBurner TI | BQ20Z95DBTG4.pdf | |
![]() | 11D-12S05N1 | 11D-12S05N1 YDS SIP | 11D-12S05N1.pdf | |
![]() | M5M28F101RV-15 | M5M28F101RV-15 ORIGINAL TSOP | M5M28F101RV-15.pdf |