창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-IRFSL7540PBF | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | IRF(B,S,SL)7540PbF | |
PCN 설계/사양 | Copper Plating Update 31/Aug/2015 | |
PCN 포장 | Package Drawing Update 19/Aug/2015 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Infineon Technologies | |
계열 | HEXFET®, StrongIRFET™ | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 60V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 110A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 5.1m옴 @ 65A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 3.7V @ 100µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 130nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 4555pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 160W | |
작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | TO-262-3, 긴 리드(Lead), I²Pak, TO-262AA | |
공급 장치 패키지 | TO-262 | |
표준 포장 | 50 | |
다른 이름 | SP001557648 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | IRFSL7540PBF | |
관련 링크 | IRFSL75, IRFSL7540PBF 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 |
![]() | CPR15110R0JE10 | RES 110 OHM 15W 5% RADIAL | CPR15110R0JE10.pdf | |
![]() | 300V0.47UF | 300V0.47UF CT SMD or Through Hole | 300V0.47UF.pdf | |
![]() | 0603-8P4R-68R | 0603-8P4R-68R N/A SMD or Through Hole | 0603-8P4R-68R.pdf | |
![]() | 0805 240K F | 0805 240K F TASUND SMD or Through Hole | 0805 240K F.pdf | |
![]() | 3711-003895 | 3711-003895 YEONHO SMD or Through Hole | 3711-003895.pdf | |
![]() | WP91401L | WP91401L AT&T DIP | WP91401L.pdf | |
![]() | DO1608C-222E | DO1608C-222E COILCR SMD or Through Hole | DO1608C-222E.pdf | |
![]() | NCP803SN293T3G | NCP803SN293T3G ON SMD or Through Hole | NCP803SN293T3G.pdf | |
![]() | IN80C196KB16 | IN80C196KB16 ORIGINAL SMD | IN80C196KB16.pdf | |
![]() | GT825CX5BRF | GT825CX5BRF GT SMD or Through Hole | GT825CX5BRF.pdf | |
![]() | IP-JW1-CX | IP-JW1-CX IP SMD or Through Hole | IP-JW1-CX.pdf |