창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-IRFSL7540PBF | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | IRF(B,S,SL)7540PbF | |
PCN 설계/사양 | Copper Plating Update 31/Aug/2015 | |
PCN 포장 | Package Drawing Update 19/Aug/2015 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Infineon Technologies | |
계열 | HEXFET®, StrongIRFET™ | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 60V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 110A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 5.1m옴 @ 65A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 3.7V @ 100µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 130nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 4555pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 160W | |
작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | TO-262-3, 긴 리드(Lead), I²Pak, TO-262AA | |
공급 장치 패키지 | TO-262 | |
표준 포장 | 50 | |
다른 이름 | SP001557648 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | IRFSL7540PBF | |
관련 링크 | IRFSL75, IRFSL7540PBF 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 |
![]() | 0819-16G | 470nH Unshielded Molded Inductor 410mA 620 mOhm Max Axial | 0819-16G.pdf | |
![]() | RG2012P-154-W-T5 | RES SMD 150K OHM 0.05% 1/8W 0805 | RG2012P-154-W-T5.pdf | |
![]() | EXB-34V363JV | RES ARRAY 2 RES 36K OHM 0606 | EXB-34V363JV.pdf | |
![]() | VR25000002203JA500 | RES 220K OHM 1/4W 5% AXIAL | VR25000002203JA500.pdf | |
![]() | CMF652M9400FKEB | RES 2.94M OHM 1.5W 1% AXIAL | CMF652M9400FKEB.pdf | |
![]() | ICE8042 | ICE8042 ORIGINAL BGA | ICE8042.pdf | |
![]() | TC534200P-F795 | TC534200P-F795 ORIGINAL DIP | TC534200P-F795.pdf | |
![]() | HLMP1340J0002CATJ | HLMP1340J0002CATJ avago SMD or Through Hole | HLMP1340J0002CATJ.pdf | |
![]() | D-SMCJ48A-13-F | D-SMCJ48A-13-F DIODES SOP | D-SMCJ48A-13-F.pdf | |
![]() | LTC1419CG#PBF | LTC1419CG#PBF LT SMD or Through Hole | LTC1419CG#PBF.pdf | |
![]() | WSL2010R1000FTB | WSL2010R1000FTB VISHAY SMD or Through Hole | WSL2010R1000FTB.pdf |