창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-IRFSL5615PBF | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | IRFS(L)5615PBF | |
| 제품 교육 모듈 | High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers) | |
| PCN 단종/ EOL | Multiple Devices 25/Apr/2014 Revision with Removed Parts 10/Oct/2014 | |
| PCN 조립/원산지 | Mosfet Backend Wafer Processing 23/Oct/2013 | |
| PCN 포장 | Package Drawing Update 19/Aug/2015 | |
| 카탈로그 페이지 | 1514 (KR2011-KO PDF) | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Infineon Technologies | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 150V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 33A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 42m옴 @ 21A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 5V @ 100µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 40nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1750pF @ 50V | |
| 전력 - 최대 | 144W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | TO-262-3, 긴 리드(Lead), I²Pak, TO-262AA | |
| 공급 장치 패키지 | TO-262 | |
| 표준 포장 | 50 | |
| 다른 이름 | SP001567730 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | IRFSL5615PBF | |
| 관련 링크 | IRFSL56, IRFSL5615PBF 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 | |
![]() | GRM2166T1H271JD15D | 270pF 50V 세라믹 커패시터 T2H 0805(2012 미터법) 0.079" L x 0.049" W(2.00mm x 1.25mm) | GRM2166T1H271JD15D.pdf | |
![]() | RCP0603B56R0JEB | RES SMD 56 OHM 5% 3.9W 0603 | RCP0603B56R0JEB.pdf | |
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![]() | MAX6476TA15BD3+T | MAX6476TA15BD3+T MAXIM QFN | MAX6476TA15BD3+T.pdf | |
![]() | ADM4851A | ADM4851A AD SOP8 | ADM4851A.pdf | |
![]() | TDC2011AN2C | TDC2011AN2C raytheon DIP | TDC2011AN2C.pdf | |
![]() | TC9329FAG | TC9329FAG TOSHIBA QFP | TC9329FAG.pdf | |
![]() | AS1795 | AS1795 AMS TSSOP14 | AS1795.pdf | |
![]() | 413638+ | 413638+ ERNI SMD or Through Hole | 413638+.pdf |