창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-IRFSL31N20DTRL | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 납 함유 / RoHS 미준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | IRFB31N20D, IRFS(L)31N20D | |
| 비디오 파일 | MOSFET Technologies for Power Conversion | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Vishay Siliconix | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 200V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 31A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 82m옴 @ 18A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 5.5V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 110nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 2370pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 3.1W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | TO-262-3, 긴 리드(Lead), I²Pak, TO-262AA | |
| 공급 장치 패키지 | I2PAK | |
| 표준 포장 | 800 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | IRFSL31N20DTRL | |
| 관련 링크 | IRFSL31N, IRFSL31N20DTRL 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통 | |
![]() | 1825CC683JATME | 0.068µF 630V 세라믹 커패시터 X7R 1825(4564 미터법) 0.177" L x 0.252" W(4.50mm x 6.40mm) | 1825CC683JATME.pdf | |
| TLZ12B-GS18 | DIODE ZENER 12V 500MW SOD80 | TLZ12B-GS18.pdf | ||
![]() | S1008-271F | 270nH Shielded Inductor 900mA 140 mOhm Max 1008 (2520 Metric) | S1008-271F.pdf | |
![]() | RES-RS FA10856 | RES-RS FA10856 LEDIL SMD or Through Hole | RES-RS FA10856.pdf | |
![]() | LP2967IBP-2626 | LP2967IBP-2626 NSC Call | LP2967IBP-2626.pdf | |
![]() | TB1H336M10020 | TB1H336M10020 samwha DIP-2 | TB1H336M10020.pdf | |
![]() | TA9808 | TA9808 TOS ZIP | TA9808.pdf | |
![]() | TMP47C440AN-P732 | TMP47C440AN-P732 TOSHIBA DIP | TMP47C440AN-P732.pdf | |
![]() | A4-1A-F | A4-1A-F ORIGINAL SMD or Through Hole | A4-1A-F.pdf | |
![]() | 0528923090+ | 0528923090+ MOLEX SMD or Through Hole | 0528923090+.pdf | |
![]() | LMV842MAX NOPB | LMV842MAX NOPB NSC SMD or Through Hole | LMV842MAX NOPB.pdf | |
![]() | S5404F | S5404F S SMD or Through Hole | S5404F.pdf |