창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-IRFSL31N20DTRL | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 납 함유 / RoHS 미준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | IRFB31N20D, IRFS(L)31N20D | |
| 비디오 파일 | MOSFET Technologies for Power Conversion | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Vishay Siliconix | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 200V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 31A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 82m옴 @ 18A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 5.5V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 110nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 2370pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 3.1W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | TO-262-3, 긴 리드(Lead), I²Pak, TO-262AA | |
| 공급 장치 패키지 | I2PAK | |
| 표준 포장 | 800 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | IRFSL31N20DTRL | |
| 관련 링크 | IRFSL31N, IRFSL31N20DTRL 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통 | |
![]() | CRCW08054R70JNEAHP | RES SMD 4.7 OHM 5% 1/2W 0805 | CRCW08054R70JNEAHP.pdf | |
![]() | ORNV25021002TS | RES NETWORK 5 RES MULT OHM 8SOIC | ORNV25021002TS.pdf | |
![]() | P5CN072 | P5CN072 NXP SMD or Through Hole | P5CN072.pdf | |
![]() | LC1210CC3TR30 | LC1210CC3TR30 Leadchip SOT89-3 | LC1210CC3TR30.pdf | |
![]() | FDD6670-NL | FDD6670-NL FAIRCHILD TO-252 | FDD6670-NL.pdf | |
![]() | AD2025-5 | AD2025-5 CJAC/ SMD or Through Hole | AD2025-5.pdf | |
![]() | HD74BC540AFPEL | HD74BC540AFPEL RENESAS SOP | HD74BC540AFPEL.pdf | |
![]() | sep2610-f4.8gel | sep2610-f4.8gel sks SMD or Through Hole | sep2610-f4.8gel.pdf | |
![]() | 84LD21182ED-12 | 84LD21182ED-12 FUJISTU BGA | 84LD21182ED-12.pdf | |
![]() | LQH43MN181J03L Q052 | LQH43MN181J03L Q052 Murata InductorFerrite180 | LQH43MN181J03L Q052.pdf | |
![]() | IC-64PIN | IC-64PIN ORIGINAL SMD or Through Hole | IC-64PIN.pdf |