창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-IRFSL11N50APBF | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | IRFSL11N50A | |
비디오 파일 | MOSFET Technologies for Power Conversion | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Vishay Siliconix | |
계열 | - | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 500V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 11A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 550m옴 @ 6.6A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 51nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1426pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 190W | |
작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | TO-262-3, 긴 리드(Lead), I²Pak, TO-262AA | |
공급 장치 패키지 | TO-262-3 | |
표준 포장 | 1,000 | |
다른 이름 | *IRFSL11N50APBF | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | IRFSL11N50APBF | |
관련 링크 | IRFSL11N, IRFSL11N50APBF 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통 |
![]() | AF9435PSLA(LF) | AF9435PSLA(LF) ANACHIP 3.9MM | AF9435PSLA(LF).pdf | |
![]() | MK20DN512ZVLK10 | MK20DN512ZVLK10 FSL SMD or Through Hole | MK20DN512ZVLK10.pdf | |
![]() | IRGTDN200M06 | IRGTDN200M06 IR SMD or Through Hole | IRGTDN200M06.pdf | |
![]() | TD0TG242LPF | TD0TG242LPF TDI QFP64 | TD0TG242LPF.pdf | |
![]() | 8122-B | 8122-B UTC SOT-25 | 8122-B.pdf | |
![]() | PTVS24VS1UR | PTVS24VS1UR NXP SOD123W | PTVS24VS1UR.pdf | |
![]() | IRD3901R | IRD3901R IR SMD or Through Hole | IRD3901R.pdf | |
![]() | SMA0207CLMK25075K1%A2 | SMA0207CLMK25075K1%A2 VISHAY SMD or Through Hole | SMA0207CLMK25075K1%A2.pdf | |
![]() | 10EL16DR | 10EL16DR MIS SMD or Through Hole | 10EL16DR.pdf | |
![]() | AHC1G04HDCK3-E | AHC1G04HDCK3-E RENESAS SOT-353 | AHC1G04HDCK3-E.pdf | |
![]() | GXO-U102H/B20.000MHZ | GXO-U102H/B20.000MHZ GOLLEDGE ORIGINAL | GXO-U102H/B20.000MHZ.pdf | |
![]() | LU3303 | LU3303 IR TO251 | LU3303.pdf |