창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-IRFS9N60ATRRPBF | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | IRFS9N60A, SiHFS9N60A | |
| 비디오 파일 | MOSFET Technologies for Power Conversion | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Vishay Siliconix | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 600V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 9.2A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 750m옴 @ 5.5A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 49nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1400pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 170W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | TO-263-3, D²Pak(2리드(lead)+탭), TO-263AB | |
| 공급 장치 패키지 | D2PAK | |
| 표준 포장 | 800 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | IRFS9N60ATRRPBF | |
| 관련 링크 | IRFS9N60A, IRFS9N60ATRRPBF 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통 | |
![]() | TMPG06-10AHE3/53 | TVS DIODE 8.55VWM 14.5VC AXIAL | TMPG06-10AHE3/53.pdf | |
![]() | RU 20AV | DIODE GEN PURP 600V 1.5A AXIAL | RU 20AV.pdf | |
| BZV55C10 | DIODE ZENER 10V DO213AA | BZV55C10.pdf | ||
![]() | CMD1221VGCTR8 | CMD1221VGCTR8 CHM SMD or Through Hole | CMD1221VGCTR8.pdf | |
![]() | TY90009800CDGG | TY90009800CDGG SEC BGA | TY90009800CDGG.pdf | |
![]() | DLT1151 | DLT1151 EDISON SMD or Through Hole | DLT1151.pdf | |
![]() | TG26-1505N1TR | TG26-1505N1TR HALOELECTRONICSINC SMD or Through Hole | TG26-1505N1TR.pdf | |
![]() | LY4-0-12VDC | LY4-0-12VDC ORIGINAL SMD or Through Hole | LY4-0-12VDC.pdf | |
![]() | KT972 | KT972 GUS TO-126 | KT972.pdf | |
![]() | TDA15481E/N1C7F | TDA15481E/N1C7F NXP BGA | TDA15481E/N1C7F.pdf | |
![]() | E80N50 | E80N50 ORIGINAL SMD or Through Hole | E80N50.pdf | |
![]() | S-8001-10-R | S-8001-10-R ORIGINAL SMD or Through Hole | S-8001-10-R.pdf |