창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-IRFS9N60APBF | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | IRFS9N60A, SiHFS9N60A | |
| 비디오 파일 | MOSFET Technologies for Power Conversion | |
| EDA/CAD 모델 | Accelerated Designs에서 다운로드 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Vishay Siliconix | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 600V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 9.2A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 750m옴 @ 5.5A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 49nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1400pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 170W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | TO-263-3, D²Pak(2리드(lead)+탭), TO-263AB | |
| 공급 장치 패키지 | D2PAK | |
| 표준 포장 | 75 | |
| 다른 이름 | *IRFS9N60APBF | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | IRFS9N60APBF | |
| 관련 링크 | IRFS9N6, IRFS9N60APBF 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통 | |
![]() | AA0805FR-07619KL | RES SMD 619K OHM 1% 1/8W 0805 | AA0805FR-07619KL.pdf | |
![]() | C2003-K | C2003-K NEC TO-92 | C2003-K.pdf | |
![]() | TC74HC4051AFT(EL) | TC74HC4051AFT(EL) TOS TSSOP | TC74HC4051AFT(EL).pdf | |
![]() | TMS320C6416GLZ-67ALDLW | TMS320C6416GLZ-67ALDLW TI BGA | TMS320C6416GLZ-67ALDLW.pdf | |
![]() | PDA180P6B703 | PDA180P6B703 ORIGINAL SMD or Through Hole | PDA180P6B703.pdf | |
![]() | 2N181A | 2N181A MOTOROLA CAN3 | 2N181A.pdf | |
![]() | B32995E | B32995E ORIGINAL SOP | B32995E.pdf | |
![]() | BQ2012C | BQ2012C BQ SOP16 | BQ2012C.pdf | |
![]() | D255K600B | D255K600B EUPEC SMD or Through Hole | D255K600B.pdf | |
![]() | ICL7288AR | ICL7288AR FAIRCHILD MSOP8 | ICL7288AR.pdf | |
![]() | GRM155B11H681K | GRM155B11H681K MURATA SMD or Through Hole | GRM155B11H681K.pdf | |
![]() | NCR0380955 | NCR0380955 NCR SOP18 | NCR0380955.pdf |