창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-IRFS7762PBF | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | IRFS(L)7762PbF | |
| 주요제품 | StrongIRFET™ Power MOSFETs Automatic Opening Systems | |
| PCN 포장 | Package Drawing Update 19/Aug/2015 | |
| PCN 부품 상태 변경 | Pkg Type Disc 16/May/2016 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Infineon Technologies | |
| 계열 | HEXFET® | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 주문 불가 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 75V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 85A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 6.7m옴 @ 51A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 3.7V @ 100µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 130nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 4440pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 140W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | TO-263-3, D²Pak(2리드(lead)+탭), TO-263AB | |
| 공급 장치 패키지 | D²PAK(TO-263AB) | |
| 표준 포장 | 50 | |
| 다른 이름 | SP001576158 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | IRFS7762PBF | |
| 관련 링크 | IRFS77, IRFS7762PBF 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 | |
| UPS1E220MDD1TD | 22µF 25V Aluminum Capacitors Radial, Can 2000 Hrs @ 105°C | UPS1E220MDD1TD.pdf | ||
![]() | 500D156M063BB2A | 15µF 63V Aluminum Capacitors Axial, Can 2000 Hrs @ 85°C | 500D156M063BB2A.pdf | |
![]() | PGB1010603NRHF | TVS DIODE 24VWM 150VC 0603 | PGB1010603NRHF.pdf | |
![]() | BC857CLT1G | TRANS PNP 45V 0.1A SOT23 | BC857CLT1G.pdf | |
![]() | RT1206FRD07620KL | RES SMD 620K OHM 1% 1/4W 1206 | RT1206FRD07620KL.pdf | |
![]() | 1021AARQZ | 1021AARQZ AD SSOP-16 | 1021AARQZ.pdf | |
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![]() | 67130V-55 | 67130V-55 TEMIC QFP | 67130V-55.pdf | |
![]() | GRM21BF51E2252A01L | GRM21BF51E2252A01L ORIGINAL SMD or Through Hole | GRM21BF51E2252A01L.pdf | |
![]() | 3SMC9.0CATR13 | 3SMC9.0CATR13 Centralsemi SMC | 3SMC9.0CATR13.pdf | |
![]() | GLX-N-66M-BLK | GLX-N-66M-BLK KYCON SMD or Through Hole | GLX-N-66M-BLK.pdf |