창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-IRFS7734-7PPBF | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | IRFS7734-7PPb | |
| 주요제품 | StrongIRFET™ Power MOSFETs Automatic Opening Systems | |
| PCN 포장 | Package Drawing Update 19/Aug/2015 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Infineon Technologies | |
| 계열 | HEXFET®, StrongIRFET™ | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 새 설계에 권장하지 않음(NRND) | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 75V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 197A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 3.05m옴 @ 100A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 3.7V @ 150µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 270nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 10130pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 294W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | TO-263-7, D²Pak(6리드(lead)+탭), TO-263CB | |
| 공급 장치 패키지 | D²PAK(TO-263AB) | |
| 표준 포장 | 50 | |
| 다른 이름 | SP001567770 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | IRFS7734-7PPBF | |
| 관련 링크 | IRFS7734, IRFS7734-7PPBF 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 | |
![]() | IXTK82N25P | MOSFET N-CH 250V 82A TO-264 | IXTK82N25P.pdf | |
![]() | CRCW04021M43FKED | RES SMD 1.43M OHM 1% 1/16W 0402 | CRCW04021M43FKED.pdf | |
![]() | 942.5m | 942.5m ORIGINAL 3 3 | 942.5m.pdf | |
![]() | ECZJX000800 | ECZJX000800 ORIGINAL SMD or Through Hole | ECZJX000800.pdf | |
![]() | CG39-1A | CG39-1A ORIGINAL SMD or Through Hole | CG39-1A.pdf | |
![]() | 11788-001 | 11788-001 AMIS QFP100 | 11788-001.pdf | |
![]() | REC86345 | REC86345 HDK SMD or Through Hole | REC86345.pdf | |
![]() | LM3671TLX-1.8/NOPB | LM3671TLX-1.8/NOPB NATIONAL BGA5 | LM3671TLX-1.8/NOPB.pdf | |
![]() | U2183 | U2183 TFK SMD-8 | U2183.pdf | |
![]() | 11K5017-JCNB | 11K5017-JCNB GrayhillInc SMD or Through Hole | 11K5017-JCNB.pdf | |
![]() | MAX4995CAUT | MAX4995CAUT MAXIM SOT | MAX4995CAUT.pdf |