창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-IRFS7534-7PPBF | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | IRFS7534-7PPbF | |
주요제품 | 60 V StrongIRFET Power MOSFETs Automatic Opening Systems | |
PCN 포장 | Package Drawing Update 19/Aug/2015 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Infineon Technologies | |
계열 | HEXFET®, StrongIRFET™ | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 새 설계에 권장하지 않음(NRND) | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 60V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 240A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 1.95m옴 @ 100A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 3.7V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 300nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 9990pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 290W | |
작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | TO-263-7, D²Pak(6리드(lead)+탭) | |
공급 장치 패키지 | D2PAK(7-Lead) | |
표준 포장 | 50 | |
다른 이름 | SP001557490 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | IRFS7534-7PPBF | |
관련 링크 | IRFS7534, IRFS7534-7PPBF 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 |
![]() | 416F26022CDT | 26MHz ±20ppm 수정 18pF 200옴 -20°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 416F26022CDT.pdf | |
![]() | 2455RM-00750995 | MANUAL RESET THERMOSTAT | 2455RM-00750995.pdf | |
![]() | 1S82C52 | 1S82C52 INTERSIL PLCC | 1S82C52.pdf | |
![]() | 10YXA1000M10x12.5 | 10YXA1000M10x12.5 Rubycon DIP | 10YXA1000M10x12.5.pdf | |
![]() | BYT56G | BYT56G TFK SOD-64 | BYT56G.pdf | |
![]() | TMP82C59AF-2 | TMP82C59AF-2 TOS QFP | TMP82C59AF-2.pdf | |
![]() | SKMT250/22E | SKMT250/22E ORIGINAL SEMIKRON | SKMT250/22E.pdf | |
![]() | TR250B1215 | TR250B1215 MITSUBISHI M20 SCR | TR250B1215.pdf | |
![]() | 742-0692-10 | 742-0692-10 SAMSUNG SOIC | 742-0692-10.pdf | |
![]() | 2SB656(A) | 2SB656(A) HIT SMD or Through Hole | 2SB656(A).pdf | |
![]() | OEGOJE-SS-112HMF | OEGOJE-SS-112HMF OEG SMD or Through Hole | OEGOJE-SS-112HMF.pdf | |
![]() | ERZC20EL112 | ERZC20EL112 pana SMD or Through Hole | ERZC20EL112.pdf |