창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-IRFS7434TRLPBF | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | IRFS(L)7434PbF | |
| 제품 교육 모듈 | Discrete Power MOSFETs 40V and Below | |
| PCN 설계/사양 | Copper Plating Update 31/Aug/2015 | |
| PCN 포장 | Package Drawing Update 19/Aug/2015 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Infineon Technologies | |
| 계열 | HEXFET®, StrongIRFET™ | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 40V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 195A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 1.6m옴 @ 100A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 3.9V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 324nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 10820pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 294W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | TO-263-3, D²Pak(2리드(lead)+탭), TO-263AB | |
| 공급 장치 패키지 | D2PAK | |
| 표준 포장 | 800 | |
| 다른 이름 | IRFS7434TRLPBF-ND IRFS7434TRLPBFTR SP001578486 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | IRFS7434TRLPBF | |
| 관련 링크 | IRFS7434, IRFS7434TRLPBF 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 | |
![]() | B43564A9688M7 | 6800µF 400V Aluminum Capacitors Radial, Can - Screw Terminals 27 mOhm @ 100Hz 15000 Hrs @ 85°C | B43564A9688M7.pdf | |
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![]() | DM74LS156MX | DM74LS156MX FSC 3.9mm | DM74LS156MX.pdf | |
![]() | GMS30112-R186 | GMS30112-R186 LGS SMD | GMS30112-R186.pdf | |
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![]() | Si2140-A10-GM | Si2140-A10-GM SILICON QFN | Si2140-A10-GM.pdf | |
![]() | A6-9K | A6-9K ORIGINAL QFN | A6-9K.pdf | |
![]() | TC51164 | TC51164 TC SMD or Through Hole | TC51164.pdf | |
![]() | NJM7082V(TE1) | NJM7082V(TE1) JRC TSSOP8 | NJM7082V(TE1).pdf |