창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-IRFS7434TRL7PP | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | IRFS7434-7PPBF | |
제품 교육 모듈 | Discrete Power MOSFETs 40V and Below | |
주요제품 | 40 V StrongIRFET Power MOSFETs | |
PCN 조립/원산지 | Mosfet Backend Wafer Processing 23/Oct/2013 | |
PCN 포장 | Package Drawing Update 19/Aug/2015 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Infineon Technologies | |
계열 | HEXFET®, StrongIRFET™ | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 40V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 240A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 1m옴 @ 100A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 3.9V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 315nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 10250pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 245W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | TO-263-7, D²Pak(6리드(lead)+탭) | |
공급 장치 패키지 | D2PAK-7 | |
표준 포장 | 800 | |
다른 이름 | IRFS7434TRL7PPTR SP001557462 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | IRFS7434TRL7PP | |
관련 링크 | IRFS7434, IRFS7434TRL7PP 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 |
CMOZ13L TR | DIODE ZENER 13V 250MW SOD523 | CMOZ13L TR.pdf | ||
TC140G44AF-0065 | TC140G44AF-0065 BCM PQFP | TC140G44AF-0065.pdf | ||
67-23/R6GHBHC-B08/2T | 67-23/R6GHBHC-B08/2T Everlight SMD or Through Hole | 67-23/R6GHBHC-B08/2T.pdf | ||
MC2118L | MC2118L MOT Call | MC2118L.pdf | ||
NX5032GA12.000 | NX5032GA12.000 NDK SMD or Through Hole | NX5032GA12.000.pdf | ||
VP0333N2 | VP0333N2 SILICONI CAN3 | VP0333N2.pdf | ||
ADV7179KCP | ADV7179KCP ORIGINAL LFCSP40 | ADV7179KCP .pdf | ||
MBRS320-T3G | MBRS320-T3G ORIGINAL SMD or Through Hole | MBRS320-T3G.pdf | ||
RC0805 J 4R7Y | RC0805 J 4R7Y ORIGINAL SMD or Through Hole | RC0805 J 4R7Y.pdf | ||
RBO40-40T | RBO40-40T STMICROELECTRONICS SMD or Through Hole | RBO40-40T.pdf | ||
PN105-101K | PN105-101K PREMO SMD | PN105-101K.pdf |