창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-IRFS52N15DTRRP | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | IRFB52N15DPbF, IRFS(L)52N15DPbF | |
| 제품 교육 모듈 | High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers) | |
| PCN 설계/사양 | Copper Plating Update 31/Aug/2015 | |
| PCN 조립/원산지 | D2Pak Additional Assembly Site 13/Dec/2013 | |
| PCN 포장 | Package Drawing Update 19/Aug/2015 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Infineon Technologies | |
| 계열 | HEXFET® | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 새 설계에 권장하지 않음(NRND) | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 150V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 51A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 32m옴 @ 36A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 5V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 89nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 2770pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 3.8W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | TO-263-3, D²Pak(2리드(lead)+탭), TO-263AB | |
| 공급 장치 패키지 | D2PAK | |
| 표준 포장 | 800 | |
| 다른 이름 | SP001568000 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | IRFS52N15DTRRP | |
| 관련 링크 | IRFS52N1, IRFS52N15DTRRP 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 | |
![]() | SIT1602AC-13-33E-24.576000E | OSC XO 3.3V 24.576MHZ | SIT1602AC-13-33E-24.576000E.pdf | |
![]() | M5600-000005-01KPG | Pressure Sensor 1000 PSI (6894.76 kPa) Vented Gauge Male - 1/4" (6.35mm) NPT 24 b Cylinder, Threaded | M5600-000005-01KPG.pdf | |
![]() | R4037410T | R4037410T N/A QFP | R4037410T.pdf | |
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![]() | EI379079 | EI379079 AKI DIP30 | EI379079.pdf | |
![]() | MAX4183ESD | MAX4183ESD MAXIM SOP14 | MAX4183ESD.pdf | |
![]() | AT49BV160ST-70CU. | AT49BV160ST-70CU. ATMEL BGA | AT49BV160ST-70CU..pdf | |
![]() | 819-131-01 | 819-131-01 ORIGINAL SMD or Through Hole | 819-131-01.pdf | |
![]() | 7916-B500 | 7916-B500 M 3M | 7916-B500.pdf | |
![]() | MCH155AN3R3CK | MCH155AN3R3CK ROHM SMD | MCH155AN3R3CK.pdf |