Infineon Technologies IRFS4115-7PPBF

IRFS4115-7PPBF
제조업체 부품 번호
IRFS4115-7PPBF
제조업 자
제품 카테고리
FET - 단일
간단한 설명
MOSFET N-CH 150V 105A D2PAK-7
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내부 부품 번호EIS-IRFS4115-7PPBF
무연 여부 / RoHS 준수 여부무연 / RoHS 준수
수분 민감도 레벨(MSL)1(무제한)
생산 현황 (라이프 사이클)생산 중
지위새로운, 원래는 봉인
규격서IRFS4115-7PPBF
제품 교육 모듈High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers)
PCN 조립/원산지Mosfet Backend Wafer Processing 23/Oct/2013
PCN 포장Package Drawing Update 19/Aug/2015
PCN 부품 상태 변경Pkg Type Disc 16/May/2016
종류이산 소자 반도체 제품
제품군FET - 단일
제조업체Infineon Technologies
계열HEXFET®
포장튜브
부품 현황주문 불가
FET 유형MOSFET N-Chan, 금속 산화물
FET 특징표준
드레인 - 소스 전압(Vdss)150V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C105A(Tc)
Rds On(최대) @ Id, Vgs11.8m옴 @ 63A, 10V
Id 기준 Vgs(th)(최대)5V @ 250µA
게이트 전하(Qg) @ Vgs110nC(10V)
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds5320pF @ 50V
전력 - 최대380W
작동 온도-55°C ~ 175°C(TJ)
실장 유형표면실장(SMD, SMT)
패키지/케이스TO-263-7, D²Pak(6리드(lead)+탭), TO-263CB
공급 장치 패키지D2PAK(7-Lead)
표준 포장 50
다른 이름SP001567554
무게0.001 KG
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대체 부품 (교체)IRFS4115-7PPBF
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