Infineon Technologies IRFS4010PBF

IRFS4010PBF
제조업체 부품 번호
IRFS4010PBF
제조업 자
제품 카테고리
FET - 단일
간단한 설명
MOSFET N-CH 100V 180A D2PAK
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내부 부품 번호EIS-IRFS4010PBF
무연 여부 / RoHS 준수 여부무연 / RoHS 준수
수분 민감도 레벨(MSL)1(무제한)
생산 현황 (라이프 사이클)생산 중
지위새로운, 원래는 봉인
규격서IRFS(L)4010PBF
제품 교육 모듈High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers)
설계 리소스IRFS4010PBF Saber Model
IRFS4010PBF Spice Model
PCN 설계/사양Copper Plating Update 31/Aug/2015
Material Chg 24/Nov/2015
PCN 조립/원산지Mosfet Backend Wafer Processing 23/Oct/2013
Additional Wafer Source 11/Nov/2014
PCN 포장Package Drawing Update 19/Aug/2015
PCN 기타Multiple Changes 06/Oct/2014
PCN 부품 상태 변경Pkg Type Disc 16/May/2016
카탈로그 페이지 1517 (KR2011-KO PDF)
종류이산 소자 반도체 제품
제품군FET - 단일
제조업체Infineon Technologies
계열HEXFET®
포장튜브
부품 현황주문 불가
FET 유형MOSFET N-Chan, 금속 산화물
FET 특징표준
드레인 - 소스 전압(Vdss)100V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C180A(Tc)
Rds On(최대) @ Id, Vgs4.7m옴 @ 106A, 10V
Id 기준 Vgs(th)(최대)4V @ 250µA
게이트 전하(Qg) @ Vgs215nC(10V)
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds9575pF @ 50V
전력 - 최대375W
작동 온도-55°C ~ 175°C(TJ)
실장 유형표면실장(SMD, SMT)
패키지/케이스TO-263-3, D²Pak(2리드(lead)+탭), TO-263AB
공급 장치 패키지D2PAK
표준 포장 50
다른 이름SP001578304
무게0.001 KG
신청자세한 내용은 이메일
대체 부품 (교체)IRFS4010PBF
관련 링크IRFS40, IRFS4010PBF 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통
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