창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-IRFS23N20DTRLP | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | IRFB23N20DPbF, IRFS(L)23N20DPbF | |
| 제품 교육 모듈 | High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers) | |
| PCN 설계/사양 | Copper Plating Update 31/Aug/2015 Material Chg 24/Nov/2015 | |
| PCN 조립/원산지 | D2Pak Additional Assembly Site 13/Dec/2013 Warehouse Transfer 29/Jul/2015 | |
| PCN 포장 | Package Drawing Update 19/Aug/2015 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Infineon Technologies | |
| 계열 | HEXFET® | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 200V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 24A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 100m옴 @ 14A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 5.5V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 86nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1960pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 3.8W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | TO-263-3, D²Pak(2리드(lead)+탭), TO-263AB | |
| 공급 장치 패키지 | D2PAK | |
| 표준 포장 | 800 | |
| 다른 이름 | IRFS23N20DTRLP-ND IRFS23N20DTRLPTR SP001571644 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | IRFS23N20DTRLP | |
| 관련 링크 | IRFS23N2, IRFS23N20DTRLP 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 | |
![]() | MALREKB00BA233JL0K | 33µF 63V Aluminum Capacitors Radial, Can 4.02 Ohm @ 120Hz 1000 Hrs @ 105°C | MALREKB00BA233JL0K.pdf | |
![]() | F1778322M2FLB0 | 0.022µF Film Capacitor 310V 630V Polypropylene (PP), Metallized Radial 0.689" L x 0.197" W (17.50mm x 5.00mm) | F1778322M2FLB0.pdf | |
![]() | SM4124FT16R5 | RES SMD 16.5 OHM 1% 2W 4124 | SM4124FT16R5.pdf | |
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![]() | QST108 | QST108 ST QFP32 | QST108.pdf | |
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![]() | DFLZ5V1 | DFLZ5V1 ZETEXDIODES POWERDI123 | DFLZ5V1.pdf | |
![]() | TAJC2R2M35R | TAJC2R2M35R AVX SMD or Through Hole | TAJC2R2M35R.pdf | |
![]() | BU-61580 | BU-61580 DDC SMD or Through Hole | BU-61580.pdf | |
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