창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-IRFS23N15DTRLP | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | IRFB23N15DPbF, IRFS(L)23N15DPbF | |
제품 교육 모듈 | High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers) | |
PCN 설계/사양 | Copper Plating Update 31/Aug/2015 Material Chg 24/Nov/2015 | |
PCN 조립/원산지 | D2Pak Additional Assembly Site 13/Dec/2013 Warehouse Transfer 29/Jul/2015 | |
PCN 포장 | Package Drawing Update 19/Aug/2015 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Infineon Technologies | |
계열 | HEXFET® | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 150V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 23A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 90m옴 @ 14A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 5.5V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 56nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1200pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 3.8W | |
작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | TO-263-3, D²Pak(2리드(lead)+탭), TO-263AB | |
공급 장치 패키지 | D2PAK | |
표준 포장 | 800 | |
다른 이름 | IRFS23N15DTRLP-ND IRFS23N15DTRLPTR SP001557206 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | IRFS23N15DTRLP | |
관련 링크 | IRFS23N1, IRFS23N15DTRLP 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 |
D180G20U2JL65J5R | 18pF 500V 세라믹 커패시터 U2J 방사형, 디스크 0.197" Dia(5.00mm) | D180G20U2JL65J5R.pdf | ||
SQCAEM270JAJME\500 | 27pF 150V 세라믹 커패시터 M 0605(1613 미터법) 0.055" L x 0.055" W(1.40mm x 1.40mm) | SQCAEM270JAJME\500.pdf | ||
ECD-G0E1R0B | 1pF 25V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0402(1005 미터법) 0.039" L x 0.020" W(1.00mm x 0.50mm) | ECD-G0E1R0B.pdf | ||
LOC112STR | Optoisolator Photovoltaic, Linearized Output 3750Vrms 1 Channel 8-SMD | LOC112STR.pdf | ||
23J4K5E | RES 4.5K OHM 3W 5% AXIAL | 23J4K5E.pdf | ||
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PHP23NQ10LT | PHP23NQ10LT PH TO-220 | PHP23NQ10LT.pdf | ||
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JANTX2N1890S | JANTX2N1890S MOT CAN3 | JANTX2N1890S.pdf | ||
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