창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-IRFRC20TRRPBF | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | IRFRC20, IRFUC20 | |
| 비디오 파일 | MOSFET Technologies for Power Conversion | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Vishay Siliconix | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 600V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 2A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 4.4옴 @ 1.2A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 18nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 350pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 2.5W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | TO-252-3, DPak(2리드(lead)+탭), SC-63 | |
| 공급 장치 패키지 | D-Pak | |
| 표준 포장 | 3,000 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | IRFRC20TRRPBF | |
| 관련 링크 | IRFRC20, IRFRC20TRRPBF 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통 | |
![]() | PE-0805CD2N8JTT | 2.8nH Unshielded Wirewound Inductor 600mA 60 mOhm Max 0805 (2012 Metric) | PE-0805CD2N8JTT.pdf | |
![]() | SRU2011-6R8Y | 6.8µH Shielded Wirewound Inductor 700mA 450 mOhm Max Nonstandard | SRU2011-6R8Y.pdf | |
![]() | 6B120-880/70-0 | 6B120-880/70-0 K&L SMA | 6B120-880/70-0.pdf | |
![]() | MT6612 | MT6612 ORIGINAL SMD or Through Hole | MT6612.pdf | |
![]() | ERB-RKZ433952/1 | ERB-RKZ433952/1 SEOUL 4000r | ERB-RKZ433952/1.pdf | |
![]() | DB-25P-DC1 | DB-25P-DC1 HRS SMD or Through Hole | DB-25P-DC1.pdf | |
![]() | AT-42070-TR1 | AT-42070-TR1 Agilent SMD or Through Hole | AT-42070-TR1.pdf | |
![]() | AD7450BRM-REEL7 | AD7450BRM-REEL7 AnalogDevicesInc 8-MSOP | AD7450BRM-REEL7.pdf | |
![]() | M29W320DB70ZE6E-N | M29W320DB70ZE6E-N MICRON SMD or Through Hole | M29W320DB70ZE6E-N.pdf | |
![]() | 1206,0.5W10MO1% | 1206,0.5W10MO1% ORIGINAL 1206 | 1206,0.5W10MO1%.pdf | |
![]() | MC-23110 | MC-23110 NEC BGA | MC-23110.pdf |