창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-IRFRC20TRPBF | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | IRFRC20, IRFUC20 | |
| 비디오 파일 | MOSFET Technologies for Power Conversion | |
| 카탈로그 페이지 | 1522 (KR2011-KO PDF) | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Vishay Siliconix | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 600V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 2A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 4.4옴 @ 1.2A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 18nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 350pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 2.5W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | TO-252-3, DPak(2리드(lead)+탭), SC-63 | |
| 공급 장치 패키지 | D-Pak | |
| 표준 포장 | 2,000 | |
| 다른 이름 | IRFRC20PBFTR | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | IRFRC20TRPBF | |
| 관련 링크 | IRFRC20, IRFRC20TRPBF 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통 | |
![]() | BSC190N12NS3GATMA1 | MOSFET N-CH 120V 44A TDSON-8 | BSC190N12NS3GATMA1.pdf | |
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![]() | RNF14BTE3K00 | RES 3K OHM 1/4W .1% AXIAL | RNF14BTE3K00.pdf | |
![]() | P14NK50ZT4 | P14NK50ZT4 ST TO263 | P14NK50ZT4.pdf | |
![]() | MX27L1000TC15B2 | MX27L1000TC15B2 MX TSSOP-32 | MX27L1000TC15B2.pdf | |
![]() | DS1232LPS TEL:82766440 | DS1232LPS TEL:82766440 DALLAS SOP | DS1232LPS TEL:82766440.pdf | |
![]() | 16RKV100MIP | 16RKV100MIP RUBYCON SMD or Through Hole | 16RKV100MIP.pdf | |
![]() | 3.74K | 3.74K ORIGINAL 1206 | 3.74K.pdf | |
![]() | SE5030B | SE5030B ORIGINAL CAN | SE5030B.pdf | |
![]() | JM38510/1O1O2BIA | JM38510/1O1O2BIA ORIGINAL SMD or Through Hole | JM38510/1O1O2BIA.pdf | |
![]() | BD246. | BD246. MAT TO-3P | BD246..pdf | |
![]() | HX1071NLT | HX1071NLT PULSE SMD or Through Hole | HX1071NLT.pdf |