창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-IRFRC20PBF | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | IRFRC20, IRFUC20 | |
| 비디오 파일 | MOSFET Technologies for Power Conversion | |
| EDA/CAD 모델 | Accelerated Designs에서 다운로드 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Vishay Siliconix | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 600V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 2A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 4.4옴 @ 1.2A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 18nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 350pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 2.5W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | TO-252-3, DPak(2리드(lead)+탭), SC-63 | |
| 공급 장치 패키지 | D-Pak | |
| 표준 포장 | 75 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | IRFRC20PBF | |
| 관련 링크 | IRFRC2, IRFRC20PBF 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통 | |
![]() | 416F44025AAR | 44MHz ±20ppm 수정 10pF 100옴 -10°C ~ 60°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 416F44025AAR.pdf | |
![]() | SIT8008AC-13-33E-17.170600G | OSC XO 3.3V 17.1706MHZ | SIT8008AC-13-33E-17.170600G.pdf | |
![]() | MSS1P3L-M3/89A | DIODE SCHOTTKY 30V 1A MICROSMP | MSS1P3L-M3/89A.pdf | |
![]() | RC1218JK-0722RL | RES SMD 22 OHM 1W 1812 WIDE | RC1218JK-0722RL.pdf | |
![]() | SA25F010LEMNF | SA25F010LEMNF SAIFUN DFN8-56 | SA25F010LEMNF.pdf | |
![]() | MC1401BCL | MC1401BCL MOTOROLA DIP | MC1401BCL.pdf | |
![]() | TV06B9V0KB-G | TV06B9V0KB-G COMCHIP SMB DO-214AA | TV06B9V0KB-G.pdf | |
![]() | SN751701P | SN751701P TI DIP | SN751701P.pdf | |
![]() | CY8C202344-12LKXI | CY8C202344-12LKXI CYPRESS QFN | CY8C202344-12LKXI.pdf | |
![]() | DG528CJ+ | DG528CJ+ Maxim 18-PDIP | DG528CJ+.pdf | |
![]() | KMQ350VB22RM12X20LL | KMQ350VB22RM12X20LL NIPPON SMD or Through Hole | KMQ350VB22RM12X20LL.pdf |