창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-IRFR9N20DPBF | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | IRFR9N20DPbF, IRFU9N20DPbF | |
제품 교육 모듈 | High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers) | |
PCN 조립/원산지 | Warehouse Transfer 29/Jul/2015 | |
PCN 포장 | Package Drawing Update 19/Aug/2015 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Infineon Technologies | |
계열 | HEXFET® | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 새 설계에 권장하지 않음(NRND) | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 200V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 9.4A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 380m옴 @ 5.6A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 5.5V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 27nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 560pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 86W | |
작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | TO-252-3, DPak(2리드(lead)+탭), SC-63 | |
공급 장치 패키지 | D-Pak | |
표준 포장 | 75 | |
다른 이름 | *IRFR9N20DPBF SP001565076 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | IRFR9N20DPBF | |
관련 링크 | IRFR9N2, IRFR9N20DPBF 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 |
![]() | VJ0805Y273KXACW1BC | 0.027µF 50V 세라믹 커패시터 X7R 0805(2012 미터법) 0.079" L x 0.049" W(2.00mm x 1.25mm) | VJ0805Y273KXACW1BC.pdf | |
F17723222004 | 0.022µF Film Capacitor 310V 630V Polyester, Metallized Radial | F17723222004.pdf | ||
![]() | MAX534 | MAX534 ORIGINAL SSOP16 | MAX534.pdf | |
![]() | 4614X-102-502 | 4614X-102-502 Bourns DIP | 4614X-102-502.pdf | |
![]() | HT7318-A/SOT-89 | HT7318-A/SOT-89 HT SMD or Through Hole | HT7318-A/SOT-89.pdf | |
![]() | HER303 T/B | HER303 T/B MIC DO-27 | HER303 T/B.pdf | |
![]() | MCSM-05KG18-5/Z32544E | MCSM-05KG18-5/Z32544E T PLCC68 | MCSM-05KG18-5/Z32544E.pdf | |
![]() | TB6575 | TB6575 TOSHIBA SSOP24(0.65MM) | TB6575.pdf | |
![]() | MSP3411G-QI-C12 | MSP3411G-QI-C12 MICRONAS QFP | MSP3411G-QI-C12.pdf | |
![]() | ECEA1ESS221 | ECEA1ESS221 PANASONIC SMD or Through Hole | ECEA1ESS221.pdf | |
![]() | 2SC411 | 2SC411 ORIGINAL TO-3 | 2SC411.pdf |