창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-IRFR9110TRRPBF | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | IRFR,IRFU,SiHFR,SiHFU_9110 | |
비디오 파일 | MOSFET Technologies for Power Conversion | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Vishay Siliconix | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET P-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 100V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 3.1A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 1.2옴 @ 1.9A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 8.7nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 200pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 2.5W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | TO-252-3, DPak(2리드(lead)+탭), SC-63 | |
공급 장치 패키지 | D-Pak | |
표준 포장 | 3,000 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | IRFR9110TRRPBF | |
관련 링크 | IRFR9110, IRFR9110TRRPBF 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통 |
![]() | ACTT2S-800E,118 | TRIAC SENS GATE 800V 2A DPAK | ACTT2S-800E,118.pdf | |
![]() | BTA316X-600E/DG,12 | TRIAC SENS GATE 600V 16A TO220F | BTA316X-600E/DG,12.pdf | |
![]() | 4816P-T01-820 | RES ARRAY 8 RES 82 OHM 16SOIC | 4816P-T01-820.pdf | |
![]() | HMC681ALP5ETR | RF Amplifier IC LTE, WiMax 0Hz ~ 1GHz 32-SMT (5x5) | HMC681ALP5ETR.pdf | |
![]() | M37702M8L-138HP | M37702M8L-138HP MIT QFP | M37702M8L-138HP.pdf | |
![]() | H11DX5275 | H11DX5275 QTC SOIC-6 | H11DX5275.pdf | |
![]() | 6N60L TO-220F | 6N60L TO-220F UTC SMD or Through Hole | 6N60L TO-220F.pdf | |
![]() | V61C62P55 | V61C62P55 VHK DIP22 | V61C62P55.pdf | |
![]() | RTF0402 | RTF0402 ORIGINAL CAN | RTF0402.pdf | |
![]() | BS616LV1010EIP-70 | BS616LV1010EIP-70 BSI TSOP | BS616LV1010EIP-70.pdf | |
![]() | 8NB100 | 8NB100 IR SMD or Through Hole | 8NB100.pdf |