창고: HONGKONG
								날짜 코드: 최신 Date Code
								제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-IRFR9014NTRL | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 납 함유 / RoHS 미준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | IRFR,IRFU,SiHFR,SiHFU_9014 | |
| 비디오 파일 | MOSFET Technologies for Power Conversion | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Vishay Siliconix | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET P-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 60V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 5.1A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 500m옴 @ 3.1A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 12nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 270pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 2.5W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | TO-252-3, DPak(2리드(lead)+탭), SC-63 | |
| 공급 장치 패키지 | D-Pak | |
| 표준 포장 | 3,000 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | IRFR9014NTRL | |
| 관련 링크 | IRFR901, IRFR9014NTRL 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통 | |
|  | 16ZLJ560M8X16 | 560µF 16V Aluminum Capacitors Radial, Can 10000 Hrs @ 105°C | 16ZLJ560M8X16.pdf | |
|  | C4SMT-GJS-CU0X0791 | Green 527nm LED Indication - Discrete 3.4V Radial | C4SMT-GJS-CU0X0791.pdf | |
|  | MBA02040C1843DCT00 | RES 184K OHM 0.4W 0.5% AXIAL | MBA02040C1843DCT00.pdf | |
|  | SDV708Q A | SDV708Q A AUK SMD or Through Hole | SDV708Q A.pdf | |
|  | PE-67597-001 | PE-67597-001 CHINA DIP20 | PE-67597-001.pdf | |
|  | 3P84E9XZZ-QZ89- | 3P84E9XZZ-QZ89- SAMSUNG QFP | 3P84E9XZZ-QZ89-.pdf | |
|  | SAB-C167CS-LM-GA-T | SAB-C167CS-LM-GA-T ORIGINAL QFP | SAB-C167CS-LM-GA-T.pdf | |
|  | 81068-600C01-RB | 81068-600C01-RB M SMD or Through Hole | 81068-600C01-RB.pdf | |
|  | EP600IDM883B-55 | EP600IDM883B-55 ALTERA CDIP | EP600IDM883B-55.pdf | |
|  | FAS366U-QF3 | FAS366U-QF3 ORIGINAL SMD or Through Hole | FAS366U-QF3.pdf | |
|  | ADV7393WBCPZ | ADV7393WBCPZ ADI LFCSP | ADV7393WBCPZ.pdf |