창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-IRFR9010TRPBF | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | IRFR,IRFU,SiHFR,SiHFU_9010 | |
비디오 파일 | MOSFET Technologies for Power Conversion | |
PCN 조립/원산지 | SIL-069-2014-Rev-0 23/May/2014 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Vishay Siliconix | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET P-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 50V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 5.3A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 500m옴 @ 2.8A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 9.1nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 240pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 25W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | TO-252-3, DPak(2리드(lead)+탭), SC-63 | |
공급 장치 패키지 | D-Pak | |
표준 포장 | 2,000 | |
다른 이름 | IRFR9010PBFTR | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | IRFR9010TRPBF | |
관련 링크 | IRFR901, IRFR9010TRPBF 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통 |
RT0805DRD075K1L | RES SMD 5.1K OHM 0.5% 1/8W 0805 | RT0805DRD075K1L.pdf | ||
CMSZ5222B | CMSZ5222B CENTRAL SOT-323 | CMSZ5222B.pdf | ||
UPD7811HG-049-36 | UPD7811HG-049-36 NEC DIP | UPD7811HG-049-36.pdf | ||
348A1553 | 348A1553 ORIGINAL SMD or Through Hole | 348A1553.pdf | ||
55.13.8.230 | 55.13.8.230 ORIGINAL SMD or Through Hole | 55.13.8.230.pdf | ||
WIBP-15S-25T | WIBP-15S-25T ORIGINAL CONNECTOR | WIBP-15S-25T.pdf | ||
SRM250V563KFL | SRM250V563KFL ORIGINAL ORIGINAL | SRM250V563KFL.pdf | ||
92-0030 | 92-0030 IR TO-247 | 92-0030.pdf | ||
1812-3.9K | 1812-3.9K ORIGINAL SMD or Through Hole | 1812-3.9K.pdf | ||
QV400D-08 | QV400D-08 ORIGINAL SMD or Through Hole | QV400D-08.pdf | ||
RL207G | RL207G VISHVISHAY/ST/GSAY SMD DIP | RL207G.pdf | ||
PF01411Bc | PF01411Bc HITACHI SMD or Through Hole | PF01411Bc.pdf |