창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-IRFR7546PBF | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | IRF(R,U)7546TRPbF | |
| PCN 조립/원산지 | Warehouse Transfer 29/Jul/2015 | |
| PCN 포장 | Package Drawing Update 19/Aug/2015 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Infineon Technologies | |
| 계열 | StrongIRFET™ | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 새 설계에 권장하지 않음(NRND) | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 60V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 56A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 7.9m옴 @ 43A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 3.7V @ 100µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 87nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 3020pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 99W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | TO-252-3, DPak(2리드(lead)+탭), SC-63 | |
| 공급 장치 패키지 | DPAK | |
| 표준 포장 | 75 | |
| 다른 이름 | SP001552228 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | IRFR7546PBF | |
| 관련 링크 | IRFR75, IRFR7546PBF 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 | |
![]() | RP73D2A24R3BTG | RES SMD 24.3 OHM 0.1% 1/8W 0805 | RP73D2A24R3BTG.pdf | |
![]() | CMF65475K00BHR6 | RES 475K OHM 1.5W 0.1% AXIAL | CMF65475K00BHR6.pdf | |
![]() | AT24C01A-SU27 | AT24C01A-SU27 AT SOP8 | AT24C01A-SU27.pdf | |
![]() | S010FAAOOOORXXXX | S010FAAOOOORXXXX FUJI SMD or Through Hole | S010FAAOOOORXXXX.pdf | |
![]() | 3v—48v | 3v—48v ORIGINAL SMD or Through Hole | 3v—48v.pdf | |
![]() | KDE1205PFV1 11.MS.A.GN | KDE1205PFV1 11.MS.A.GN SUNON SMD or Through Hole | KDE1205PFV1 11.MS.A.GN.pdf | |
![]() | st9001 | st9001 ST SOP8 | st9001.pdf | |
![]() | LDT565620T-VC1 | LDT565620T-VC1 TDK SMD or Through Hole | LDT565620T-VC1.pdf | |
![]() | 2SK2658 | 2SK2658 TOSHIBA TO-220 | 2SK2658.pdf | |
![]() | A86G | A86G ORIGINAL SOT23-5 | A86G.pdf | |
![]() | ZVN0209B | ZVN0209B INTERSIL CAN3 | ZVN0209B.pdf | |
![]() | TDA9353PS/N2/3 | TDA9353PS/N2/3 PHILIPS SDIP-64 | TDA9353PS/N2/3.pdf |