Infineon Technologies IRFR540ZPBF
- 제조업체 부품 번호
- IRFR540ZPBF
- 제조업 자
- Infineon Technologies
- 제품 카테고리
- FET - 단일
- 간단한 설명
- MOSFET N-CH 100V 35A DPAK
- 데이터 시트 다운로드
- 다운로드
IRFR540ZPBF 가격 및 조달
가능 수량
8550 조각
배송 오늘
창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
- 시장 가격
- ₩ 469.96717
- 우리의 가격
- 이메일로 견적
EIS에는 IRFR540ZPBF 재고가 있습니다. 우리는 Infineon Technologies 의 대리인, 우리는 모든 시리즈 Infineon Technologies 전자 부품 전문. IRFR540ZPBF 는 주문 후 24 시간 이내에 배송 될 수 있습니다. IRFR540ZPBF가 필요한 경우 여기에 RFQ를 제출하거나 이메일을 보내 주시기 바랍니다. 우리의 이메일 : [email protected]
- IRFR540ZPBF 주문 프로세스
- 문의 양식에 추가
- 견적 요청
- 우리는 24 시간 이내에 회신
- 당신은 순서를 확인
- 지불
- 주문 발송
IRFR540ZPBF 매개 변수
| 내부 부품 번호 | EIS-IRFR540ZPBF | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | IRF(R,U)540ZPbF | |
| 제품 교육 모듈 | High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers) | |
| PCN 조립/원산지 | Backend Wafer Transfer 23/Oct/2013 Warehouse Transfer 29/Jul/2015 | |
| PCN 포장 | Package Drawing Update 19/Aug/2015 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Infineon Technologies | |
| 계열 | HEXFET® | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 새 설계에 권장하지 않음(NRND) | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 100V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 35A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 28.5m옴 @ 21A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 50µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 59nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1690pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 91W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | TO-252-3, DPak(2리드(lead)+탭), SC-63 | |
| 공급 장치 패키지 | D-Pak | |
| 표준 포장 | 75 | |
| 다른 이름 | SP001555140 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | IRFR540ZPBF | |
| 관련 링크 | IRFR54, IRFR540ZPBF 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 | |
IRFR540ZPBF 의 관련 제품
 | AQ147M4R7DAJME | 4.7pF 500V 세라믹 커패시터 M 1111(2828 미터법) 0.110" L x 0.110" W(2.79mm x 2.79mm) | AQ147M4R7DAJME.pdf | |
 | SIT3807AI-C3-33EE-27.000000Y | OSC XO 3.3V 27MHZ OE | SIT3807AI-C3-33EE-27.000000Y.pdf | |
 | DFE252010F-1R5M=P2 | 1.5µH Shielded Inductor 2.5A 72 mOhm Max 1008 (2520 Metric) | DFE252010F-1R5M=P2.pdf | |
 | RG1005N-1240-B-T5 | RES SMD 124 OHM 0.1% 1/16W 0402 | RG1005N-1240-B-T5.pdf | |
| XL1007-QT-0G0T | XL1007-QT-0G0T MIMIX SMD or Through Hole | XL1007-QT-0G0T.pdf | |
| CBTD16210DGG-T | CBTD16210DGG-T NXP AN | CBTD16210DGG-T.pdf | |
| VT82C587VP-A | VT82C587VP-A VIA QFP | VT82C587VP-A.pdf | |
| X94008WV | X94008WV XICOR SOP | X94008WV.pdf | |
| OP162GSREEL | OP162GSREEL AD SOP | OP162GSREEL.pdf | |
| CS-38S15C-T | CS-38S15C-T Teledyne SMD or Through Hole | CS-38S15C-T.pdf | |
| 28075800 | 28075800 ORIGINAL QFP | 28075800.pdf | |
| 499242-7 | 499242-7 EPCOS TSOP56 | 499242-7.pdf |