창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-IRFR540ZPBF | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | IRF(R,U)540ZPbF | |
제품 교육 모듈 | High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers) | |
PCN 조립/원산지 | Backend Wafer Transfer 23/Oct/2013 Warehouse Transfer 29/Jul/2015 | |
PCN 포장 | Package Drawing Update 19/Aug/2015 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Infineon Technologies | |
계열 | HEXFET® | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 새 설계에 권장하지 않음(NRND) | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 100V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 35A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 28.5m옴 @ 21A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 50µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 59nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1690pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 91W | |
작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | TO-252-3, DPak(2리드(lead)+탭), SC-63 | |
공급 장치 패키지 | D-Pak | |
표준 포장 | 75 | |
다른 이름 | SP001555140 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | IRFR540ZPBF | |
관련 링크 | IRFR54, IRFR540ZPBF 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 |
ECA-2CHG2R2I | 2.2µF 160V Aluminum Capacitors Radial, Can 2000 Hrs @ 105°C | ECA-2CHG2R2I.pdf | ||
DTA123JUAT106 | TRANS PREBIAS PNP 200MW UMT3 | DTA123JUAT106.pdf | ||
1840R-35F | 18µH Unshielded Molded Inductor 265mA 1.8 Ohm Max Axial | 1840R-35F.pdf | ||
ERA-8AEB751V | RES SMD 750 OHM 0.1% 1/4W 1206 | ERA-8AEB751V.pdf | ||
3365/50 (100) | 3365/50 (100) CALL SMD or Through Hole | 3365/50 (100).pdf | ||
CP0131ALY1 | CP0131ALY1 ORIGINAL SMD or Through Hole | CP0131ALY1.pdf | ||
3731200000 | 3731200000 WICKMANN SMD or Through Hole | 3731200000.pdf | ||
HSMS-286E-TR1/ | HSMS-286E-TR1/ ORIGINAL SOT-323 | HSMS-286E-TR1/.pdf | ||
3CG71 | 3CG71 CHINA TO-39 | 3CG71.pdf | ||
HSP-43881JC-20 | HSP-43881JC-20 HAR PLCC84 | HSP-43881JC-20.pdf | ||
MT49H16M18HT-5 | MT49H16M18HT-5 MICRON FBGA | MT49H16M18HT-5.pdf | ||
MCH213CN334KP | MCH213CN334KP ROHM SMD | MCH213CN334KP.pdf |