창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-IRFR4620PBF | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | IRFR/IRFU4620PbF | |
제품 교육 모듈 | High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers) | |
PCN 조립/원산지 | Mosfet Backend Wafer Processing 23/Oct/2013 Warehouse Transfer 29/Jul/2015 | |
PCN 포장 | Package Drawing Update 19/Aug/2015 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Infineon Technologies | |
계열 | HEXFET® | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 새 설계에 권장하지 않음(NRND) | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 200V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 24A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 78m옴 @ 15A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 5V @ 100µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 38nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1710pF @ 50V | |
전력 - 최대 | 144W | |
작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | TO-252-3, DPak(2리드(lead)+탭), SC-63 | |
공급 장치 패키지 | D-Pak | |
표준 포장 | 75 | |
다른 이름 | SP001557056 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | IRFR4620PBF | |
관련 링크 | IRFR46, IRFR4620PBF 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 |
C274ACF5400WA0J | 40µF Film Capacitor 470V Polypropylene (PP) Radial, Can 1.969" Dia (50.00mm) | C274ACF5400WA0J.pdf | ||
TAJA104M050K | 0.1µF Molded Tantalum Capacitors 50V 1206 (3216 Metric) 22 Ohm 0.126" L x 0.063" W (3.20mm x 1.60mm) | TAJA104M050K.pdf | ||
TNPW1206277RBEEA | RES SMD 277 OHM 0.1% 1/4W 1206 | TNPW1206277RBEEA.pdf | ||
L6581D | L6581D N SOP8 | L6581D.pdf | ||
DS2151QB+ | DS2151QB+ MaximIntegratedProducts 44-LCC | DS2151QB+.pdf | ||
CD54AC390F3A | CD54AC390F3A HARRIS DIP | CD54AC390F3A.pdf | ||
WC-110 | WC-110 JST SMD or Through Hole | WC-110.pdf | ||
ETC5064N | ETC5064N ST DIP20 | ETC5064N.pdf | ||
T520V156M025ASE090 | T520V156M025ASE090 KEMET SMD2 | T520V156M025ASE090.pdf | ||
AY7 | AY7 SANYO SOT23 | AY7.pdf | ||
FSGM0465RLDTU | FSGM0465RLDTU FAIRCHILD ORIGINAL | FSGM0465RLDTU.pdf | ||
DL5534B | DL5534B Micro MINIMELF | DL5534B.pdf |