창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-IRFR430ATRLPBF | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | IRFR,IRFU,SiHFR,SiHFU_430A | |
| 비디오 파일 | MOSFET Technologies for Power Conversion | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Vishay Siliconix | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 500V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 5A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 1.7옴 @ 3A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4.5V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 24nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 490pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 110W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | TO-252-3, DPak(2리드(lead)+탭), SC-63 | |
| 공급 장치 패키지 | D-Pak | |
| 표준 포장 | 3,000 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | IRFR430ATRLPBF | |
| 관련 링크 | IRFR430A, IRFR430ATRLPBF 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통 | |
![]() | C-2 77.5000K-P | 77.5kHz ±100ppm 수정 11pF 20k옴 -10°C ~ 60°C 스루홀 원통형 캔, 레이디얼 | C-2 77.5000K-P.pdf | |
![]() | 1812R-152F | 1.5µH Unshielded Inductor 578mA 600 mOhm Max 2-SMD | 1812R-152F.pdf | |
![]() | RT0603DRE0711K3L | RES SMD 11.3KOHM 0.5% 1/10W 0603 | RT0603DRE0711K3L.pdf | |
![]() | M6516L-10SC | M6516L-10SC MIT SOP24 | M6516L-10SC.pdf | |
![]() | CS8817AF | CS8817AF SP DIP | CS8817AF.pdf | |
![]() | AP3535 | AP3535 ACER DIP40 | AP3535.pdf | |
![]() | 16F73-I/SO4AP | 16F73-I/SO4AP MICROCHIP SMD or Through Hole | 16F73-I/SO4AP.pdf | |
![]() | M37762MFA-1D0GP | M37762MFA-1D0GP MIT SMD or Through Hole | M37762MFA-1D0GP.pdf | |
![]() | 1625854-3 | 1625854-3 TYCO SMD or Through Hole | 1625854-3.pdf | |
![]() | HD68HC00P8 | HD68HC00P8 HIT DIP-64 | HD68HC00P8.pdf | |
![]() | LP5527TL | LP5527TL NS SMD-30 | LP5527TL.pdf |