창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-IRFR430APBF | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | IRFR,IRFU,SiHFR,SiHFU_430A | |
| 비디오 파일 | MOSFET Technologies for Power Conversion | |
| EDA/CAD 모델 | Accelerated Designs에서 다운로드 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Vishay Siliconix | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 500V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 5A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 1.7옴 @ 3A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4.5V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 24nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 490pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 110W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | TO-252-3, DPak(2리드(lead)+탭), SC-63 | |
| 공급 장치 패키지 | D-Pak | |
| 표준 포장 | 3,000 | |
| 다른 이름 | *IRFR430APBF | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | IRFR430APBF | |
| 관련 링크 | IRFR43, IRFR430APBF 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통 | |
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![]() | 12LRS333C | 33µH Shielded Wirewound Inductor 2.1A 110 mOhm Max Radial | 12LRS333C.pdf | |
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![]() | M4A3-125/64 | M4A3-125/64 ORIGINAL QFP | M4A3-125/64.pdf | |
![]() | MC10H332L | MC10H332L MOT CDIP20 | MC10H332L.pdf | |
![]() | D1859AR | D1859AR SONY TQFP | D1859AR.pdf | |
![]() | TR5-23.3-2D4C | TR5-23.3-2D4C ORIGINAL SMD or Through Hole | TR5-23.3-2D4C.pdf | |
![]() | JFM31A1A | JFM31A1A FOXCONN SMD or Through Hole | JFM31A1A.pdf | |
![]() | GMD-32 | GMD-32 LS SMD or Through Hole | GMD-32.pdf | |
![]() | COPCG888-QYB/N | COPCG888-QYB/N NS DIP | COPCG888-QYB/N.pdf |