창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-IRFR4105ZPBF | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | IRFR4105ZPbF, IRFU4105ZPbF | |
제품 교육 모듈 | High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers) | |
설계 리소스 | IRFR4105Z Saber Model IRFR4105Z Spice Model | |
PCN 조립/원산지 | Backend Wafer Transfer 23/Oct/2013 | |
PCN 포장 | Package Drawing Update 19/Aug/2015 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Infineon Technologies | |
계열 | HEXFET® | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 새 설계에 권장하지 않음(NRND) | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 55V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 30A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 24.5m옴 @ 18A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 27nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 740pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 48W | |
작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | TO-252-3, DPak(2리드(lead)+탭), SC-63 | |
공급 장치 패키지 | D-Pak | |
표준 포장 | 75 | |
다른 이름 | 64-4125PBF 64-4125PBF-ND SP001564872 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | IRFR4105ZPBF | |
관련 링크 | IRFR410, IRFR4105ZPBF 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 |
1N5945B G | DIODE ZENER 68V 1.25W DO204AL | 1N5945B G.pdf | ||
CA20K-PAG | CA20K-PAG CREATIVE BGA | CA20K-PAG.pdf | ||
F16GZ47A | F16GZ47A ORIGINAL TO-220 | F16GZ47A.pdf | ||
G6CK-2114P-US-12V | G6CK-2114P-US-12V ORIGINAL SMD or Through Hole | G6CK-2114P-US-12V.pdf | ||
17256DDR | 17256DDR XILINX CDIP-8 | 17256DDR.pdf | ||
STT3962N | STT3962N SeCoS TSOP-6 | STT3962N.pdf | ||
F1161CT | F1161CT ORIGINAL SMD or Through Hole | F1161CT.pdf | ||
MAX809JEUR+T | MAX809JEUR+T MAXIM SMD or Through Hole | MAX809JEUR+T.pdf | ||
HPM0699-4930 | HPM0699-4930 RESISTOR NA | HPM0699-4930.pdf | ||
INS8259N | INS8259N ORIGINAL DIP | INS8259N.pdf | ||
OV9653-SA1 | OV9653-SA1 OMNIVISION CSP2 | OV9653-SA1.pdf | ||
CF921L2J104KX | CF921L2J104KX NIPPON SMD or Through Hole | CF921L2J104KX.pdf |