창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-IRFR3910TRPBF | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | IRFR3910PbF, IRFU3910PbF | |
| 제품 교육 모듈 | High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers) | |
| 설계 리소스 | IRFR3910TRPBF Saber Model IRFR3910TRPBF Spice Model | |
| PCN 조립/원산지 | Warehouse Transfer 29/Jul/2015 | |
| PCN 포장 | Package Drawing Update 19/Aug/2015 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Infineon Technologies | |
| 계열 | HEXFET® | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 100V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 16A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 115m옴 @ 10A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 44nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 640pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 79W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | TO-252-3, DPak(2리드(lead)+탭), SC-63 | |
| 공급 장치 패키지 | D-Pak | |
| 표준 포장 | 2,000 | |
| 다른 이름 | IRFR3910PBFTR SP001560674 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | IRFR3910TRPBF | |
| 관련 링크 | IRFR391, IRFR3910TRPBF 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 | |
![]() | 4308R-101-502 | RES ARRAY 7 RES 5K OHM 8SIP | 4308R-101-502.pdf | |
![]() | RK73B1ETTP393J | RK73B1ETTP393J KOA SMD or Through Hole | RK73B1ETTP393J.pdf | |
![]() | IM4LV-128/64-12VC-14VI | IM4LV-128/64-12VC-14VI LATTICE TQFP100 | IM4LV-128/64-12VC-14VI.pdf | |
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![]() | Z029T | Z029T xx SOT-236 | Z029T.pdf | |
![]() | AAACEUUL | AAACEUUL TSSOP- SMD or Through Hole | AAACEUUL.pdf | |
![]() | WB1J226M6L011PA280 | WB1J226M6L011PA280 SAMWHA SMD or Through Hole | WB1J226M6L011PA280.pdf | |
![]() | 25W3.9Ω | 25W3.9Ω ORIGINAL SMD or Through Hole | 25W3.9Ω.pdf | |
![]() | FK14SM12 | FK14SM12 MITSUBISHI TO-3P | FK14SM12.pdf | |
![]() | 1212RMV16VC22ME55 | 1212RMV16VC22ME55 NIPPON SMD or Through Hole | 1212RMV16VC22ME55.pdf |