창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-IRFR3711TRLPBF | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | IRFR3711PbF, IRFU3711PbF | |
제품 교육 모듈 | High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers) Discrete Power MOSFETs 40V and Below | |
PCN 조립/원산지 | Warehouse Transfer 29/Jul/2015 | |
PCN 포장 | Package Drawing Update 19/Aug/2015 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Infineon Technologies | |
계열 | HEXFET® | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 20V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 100A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 6.5m옴 @ 15A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 3V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 44nC(4.5V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 2980pF @ 10V | |
전력 - 최대 | 2.5W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | TO-252-3, DPak(2리드(lead)+탭), SC-63 | |
공급 장치 패키지 | D-Pak | |
표준 포장 | 3,000 | |
다른 이름 | SP001578136 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | IRFR3711TRLPBF | |
관련 링크 | IRFR3711, IRFR3711TRLPBF 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 |
![]() | VJ1825A182KBGAT4X | 1800pF 1000V(1kV) 세라믹 커패시터 C0G, NP0 1825(4564 미터법) 0.183" L x 0.252" W(4.65mm x 6.40mm) | VJ1825A182KBGAT4X.pdf | |
![]() | MCT0603MD2211BP100 | RES SMD 2.21K OHM 0.1% 1/8W 0603 | MCT0603MD2211BP100.pdf | |
![]() | PAT0603E5760BST1 | RES SMD 576 OHM 0.1% 0.15W 0603 | PAT0603E5760BST1.pdf | |
![]() | RZ1V158M1631M | RZ1V158M1631M SAMWH DIP | RZ1V158M1631M.pdf | |
![]() | TA8109 | TA8109 TOS SMD or Through Hole | TA8109.pdf | |
![]() | S646CY-121M | S646CY-121M ORIGINAL SMD or Through Hole | S646CY-121M.pdf | |
![]() | AX5326D | AX5326D ASLIC DIP-18P | AX5326D.pdf | |
![]() | TP741DR | TP741DR TI SOP | TP741DR.pdf | |
![]() | MB675523U | MB675523U FUJITSU DIP-20P | MB675523U.pdf | |
![]() | DEHR33A221KN2A | DEHR33A221KN2A MURATA SMD | DEHR33A221KN2A.pdf | |
![]() | TM04250N1PBF | TM04250N1PBF NIPPON DIP | TM04250N1PBF.pdf |