창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-IRFR3710ZPBF | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | IRFR3710ZPbF, IRFU3710ZPbF | |
제품 교육 모듈 | High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers) | |
설계 리소스 | IRFR3710ZPBF Saber Model IRFR3710ZPBF Spice Model | |
PCN 조립/원산지 | Backend Wafer Transfer 23/Oct/2013 | |
PCN 포장 | Package Drawing Update 19/Aug/2015 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Infineon Technologies | |
계열 | HEXFET® | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 새 설계에 권장하지 않음(NRND) | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 100V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 42A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 18m옴 @ 33A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 100nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 2930pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 140W | |
작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | TO-252-3, DPak(2리드(lead)+탭), SC-63 | |
공급 장치 패키지 | D-Pak | |
표준 포장 | 75 | |
다른 이름 | *IRFR3710ZPBF 64-4132PBF 64-4132PBF-ND SP001555090 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | IRFR3710ZPBF | |
관련 링크 | IRFR371, IRFR3710ZPBF 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 |
ASTMHTV-10.000MHZ-XJ-E-T | 10MHz LVCMOS MEMS (Silicon) Oscillator Surface Mount 2.25 V ~ 3.63 V Enable/Disable | ASTMHTV-10.000MHZ-XJ-E-T.pdf | ||
PCT25LF020A-33-4C-SAE | PCT25LF020A-33-4C-SAE PCT SOP-8 | PCT25LF020A-33-4C-SAE.pdf | ||
AT24C16-10P12.7 | AT24C16-10P12.7 Atmel SMD or Through Hole | AT24C16-10P12.7.pdf | ||
AMMP-6546-BLKG | AMMP-6546-BLKG AvagoTechnologies SMD or Through Hole | AMMP-6546-BLKG.pdf | ||
LMUN2116LT1G | LMUN2116LT1G LRC SMD or Through Hole | LMUN2116LT1G.pdf | ||
EPM91421DP | EPM91421DP ALTERA PLCC84 | EPM91421DP.pdf | ||
LP3985ITL-2.6/NOPB | LP3985ITL-2.6/NOPB NS MICRO | LP3985ITL-2.6/NOPB.pdf | ||
K9F1209U0M-YIBO | K9F1209U0M-YIBO SAMSUNG TSOP | K9F1209U0M-YIBO.pdf | ||
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LY3423 | LY3423 LEVEL DIP | LY3423.pdf | ||
2SA1772-E | 2SA1772-E SANYO TO-252 | 2SA1772-E.pdf |