창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-IRFR3709ZTRLPBF | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | IRF(R,U)3709ZPbF | |
제품 교육 모듈 | High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers) Discrete Power MOSFETs 40V and Below | |
PCN 조립/원산지 | Backend Wafer Transfer 23/Oct/2013 Warehouse Transfer 29/Jul/2015 | |
PCN 포장 | Package Drawing Update 19/Aug/2015 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Infineon Technologies | |
계열 | HEXFET® | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 30V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 86A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 6.5m옴 @ 15A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2.25V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 26nC(4.5V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 2330pF @ 15V | |
전력 - 최대 | 79W | |
작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | TO-252-3, DPak(2리드(lead)+탭), SC-63 | |
공급 장치 패키지 | D-Pak | |
표준 포장 | 3,000 | |
다른 이름 | SP001556992 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | IRFR3709ZTRLPBF | |
관련 링크 | IRFR3709Z, IRFR3709ZTRLPBF 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 |
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![]() | MB90096PF-G-269-EFE1 | MB90096PF-G-269-EFE1 FUJ SOP28 | MB90096PF-G-269-EFE1.pdf | |
![]() | MB8118165B-60PFTN | MB8118165B-60PFTN FUJITSU SMD or Through Hole | MB8118165B-60PFTN.pdf | |
![]() | MMBDL914T1 / 5D | MMBDL914T1 / 5D MOTOROAL SOD-323 | MMBDL914T1 / 5D.pdf | |
![]() | UPD30111S1-66-3C | UPD30111S1-66-3C NEC BGA | UPD30111S1-66-3C.pdf | |
![]() | SOM-51T-250 | SOM-51T-250 JST SMD or Through Hole | SOM-51T-250.pdf | |
![]() | SP6214EC5-3.0/TR TEL:82766440 | SP6214EC5-3.0/TR TEL:82766440 SIPEX SMD or Through Hole | SP6214EC5-3.0/TR TEL:82766440.pdf |