창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-IRFR3704ZTRLPBF | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | IRFR3704ZPbF, IRFU3704ZPbF | |
제품 교육 모듈 | High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers) Discrete Power MOSFETs 40V and Below | |
PCN 단종/ EOL | Mult Device EOL 11/May/2016 Mult Dev EOL 15/May/2016 | |
PCN 조립/원산지 | Backend Wafer Transfer 23/Oct/2013 Warehouse Transfer 29/Jul/2015 | |
PCN 포장 | Package Drawing Update 19/Aug/2015 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Infineon Technologies | |
계열 | HEXFET® | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 생산 종료 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 20V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 60A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 8.4m옴 @ 15A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2.55V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 14nC(4.5V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1190pF @ 10V | |
전력 - 최대 | 48W | |
작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | TO-252-3, DPak(2리드(lead)+탭), SC-63 | |
공급 장치 패키지 | D-Pak | |
표준 포장 | 3,000 | |
다른 이름 | SP001567428 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | IRFR3704ZTRLPBF | |
관련 링크 | IRFR3704Z, IRFR3704ZTRLPBF 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 |
164-02a06sl | 164-02a06sl clf SMD or Through Hole | 164-02a06sl.pdf | ||
CAT5116YI | CAT5116YI ONS 8-TSSOP | CAT5116YI.pdf | ||
F36012GFYWV | F36012GFYWV RENESAS QFP48 | F36012GFYWV.pdf | ||
FCI2012-1R2K | FCI2012-1R2K QILIXIN 2520 | FCI2012-1R2K.pdf | ||
REF634P | REF634P BB DIP8 | REF634P.pdf | ||
MT48LC16M16LFTG-8IT | MT48LC16M16LFTG-8IT MICRON TSSOP54 | MT48LC16M16LFTG-8IT.pdf | ||
EDI8F16257C25M6C | EDI8F16257C25M6C WED SMD or Through Hole | EDI8F16257C25M6C.pdf | ||
BL8503-33PSN | BL8503-33PSN BL SOT23-3 | BL8503-33PSN.pdf | ||
K4D263238E-GC36(4x32) | K4D263238E-GC36(4x32) SAMSUNG BGA | K4D263238E-GC36(4x32).pdf | ||
UTC8126L-AE3-5-R.. | UTC8126L-AE3-5-R.. SOT- UTC | UTC8126L-AE3-5-R...pdf | ||
MSP5979 | MSP5979 NSC TO-220 | MSP5979.pdf |