창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-IRFR320TRRPBF | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | IRFR,IRFU,SiHFR,SiHFU_320 | |
| 비디오 파일 | MOSFET Technologies for Power Conversion | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Vishay Siliconix | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 400V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 3.1A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 1.8옴 @ 1.9A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 20nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 350pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 2.5W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | TO-252-3, DPak(2리드(lead)+탭), SC-63 | |
| 공급 장치 패키지 | D-Pak | |
| 표준 포장 | 3,000 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | IRFR320TRRPBF | |
| 관련 링크 | IRFR320, IRFR320TRRPBF 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통 | |
![]() | GRM319R61C475KA88D | 4.7µF 16V 세라믹 커패시터 X5R 1206(3216 미터법) 0.126" L x 0.063" W(3.20mm x 1.60mm) | GRM319R61C475KA88D.pdf | |
![]() | CL21B472KCANNNL | 4700pF 100V 세라믹 커패시터 X7R 0805(2012 미터법) 0.079" L x 0.049" W(2.00mm x 1.25mm) | CL21B472KCANNNL.pdf | |
![]() | 416F380XXASR | 38MHz ±15ppm 수정 시리즈 200옴 -10°C ~ 60°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 416F380XXASR.pdf | |
![]() | RMCF0805FT750K | RES SMD 750K OHM 1% 1/8W 0805 | RMCF0805FT750K.pdf | |
![]() | PAT0603E5492BST1 | RES SMD 54.9KOHM 0.1% 0.15W 0603 | PAT0603E5492BST1.pdf | |
![]() | CDCDT2-S-IT-DB | CDCDT2-S-IT-DB AGERE TQFP100 | CDCDT2-S-IT-DB.pdf | |
![]() | HR821F6072 | HR821F6072 OSRAM SMD or Through Hole | HR821F6072.pdf | |
![]() | BL8550-18CC | BL8550-18CC BL SOT89 | BL8550-18CC.pdf | |
![]() | T7295-1PL2 | T7295-1PL2 LUCENT DIP | T7295-1PL2.pdf | |
![]() | AMM4 | AMM4 MIC SOT23-5 | AMM4.pdf | |
![]() | 3604-26P | 3604-26P M SMD or Through Hole | 3604-26P.pdf |