창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-IRFR2905ZTRLPBF | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | IRF(R,U)2905ZPbF | |
제품 교육 모듈 | High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers) | |
PCN 조립/원산지 | Backend Wafer Transfer 23/Oct/2013 | |
PCN 포장 | Package Drawing Update 19/Aug/2015 | |
PCN 부품 상태 변경 | Pkg Type Disc 16/May/2016 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Infineon Technologies | |
계열 | HEXFET® | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 주문 불가 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 55V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 42A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 14.5m옴 @ 36A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 44nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1380pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 110W | |
작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | TO-252-3, DPak(2리드(lead)+탭), SC-63 | |
공급 장치 패키지 | D-Pak | |
표준 포장 | 3,000 | |
다른 이름 | SP001575886 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | IRFR2905ZTRLPBF | |
관련 링크 | IRFR2905Z, IRFR2905ZTRLPBF 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 |
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![]() | RT0201FRE073K48L | RES SMD 3.48K OHM 1% 1/20W 0201 | RT0201FRE073K48L.pdf | |
![]() | CY22050ZI-119 | CY22050ZI-119 CRPRESS SMD or Through Hole | CY22050ZI-119.pdf | |
![]() | KPA-3010QBW-C | KPA-3010QBW-C KINGBRIGHT SMD or Through Hole | KPA-3010QBW-C.pdf | |
![]() | D5KC40H | D5KC40H ORIGINAL TO-220F | D5KC40H.pdf | |
![]() | L7815/18CV | L7815/18CV ST TO-220 | L7815/18CV.pdf | |
![]() | L6562/SOP-8 | L6562/SOP-8 ST SOP-8DIP-8 | L6562/SOP-8.pdf | |
![]() | D1803-Q | D1803-Q SANYO SMD or Through Hole | D1803-Q.pdf | |
![]() | HC-49/S 28.224MHZ | HC-49/S 28.224MHZ DONGNAM SMD or Through Hole | HC-49/S 28.224MHZ.pdf | |
![]() | 2N6563 | 2N6563 ORIGINAL SMD or Through Hole | 2N6563.pdf |