창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-IRFR2905ZPBF | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | IRF(R,U)2905ZPbF | |
제품 교육 모듈 | High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers) | |
설계 리소스 | IRFR2905ZPBF Saber Model IRFR2905ZPBF Spice Model | |
PCN 조립/원산지 | Backend Wafer Transfer 23/Oct/2013 | |
PCN 포장 | Package Drawing Update 19/Aug/2015 | |
PCN 부품 상태 변경 | Pkg Type Disc 16/May/2016 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Infineon Technologies | |
계열 | HEXFET® | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 주문 불가 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 55V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 42A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 14.5m옴 @ 36A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 44nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1380pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 110W | |
작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | TO-252-3, DPak(2리드(lead)+탭), SC-63 | |
공급 장치 패키지 | D-Pak | |
표준 포장 | 75 | |
다른 이름 | SP001566926 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | IRFR2905ZPBF | |
관련 링크 | IRFR290, IRFR2905ZPBF 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 |
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![]() | 1206CC103JAT1A | 10000pF 630V 세라믹 커패시터 X7R 1206(3216 미터법) 0.126" L x 0.063" W(3.20mm x 1.60mm) | 1206CC103JAT1A.pdf | |
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![]() | LK16083R3K | LK16083R3K TAIYO SMD | LK16083R3K.pdf | |
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![]() | 20SP120M | 20SP120M SANYO DIP | 20SP120M.pdf | |
![]() | CY74FCT245ATSOC/TSOC | CY74FCT245ATSOC/TSOC CY SMD | CY74FCT245ATSOC/TSOC.pdf | |
![]() | SC4437SK-3.3.TRT | SC4437SK-3.3.TRT SEMTECH N A | SC4437SK-3.3.TRT.pdf | |
![]() | ILHB0603ER601V | ILHB0603ER601V VISHAY SMD | ILHB0603ER601V.pdf | |
![]() | D1121SH45T | D1121SH45T EUEPE module | D1121SH45T.pdf | |
![]() | 24FSL DC24V | 24FSL DC24V NEC SMD or Through Hole | 24FSL DC24V.pdf |