창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-IRFR224TRR | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 납 함유 / RoHS 미준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | IRFR224, IRFU224 | |
| 비디오 파일 | MOSFET Technologies for Power Conversion | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Vishay Siliconix | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 250V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 3.8A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 1.1옴 @ 2.3A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 14nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 260pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 2.5W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | TO-252-3, DPak(2리드(lead)+탭), SC-63 | |
| 공급 장치 패키지 | D-Pak | |
| 표준 포장 | 3,000 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | IRFR224TRR | |
| 관련 링크 | IRFR22, IRFR224TRR 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통 | |
![]() | 32906D4WG | 32906D4WG FUJ BGA | 32906D4WG.pdf | |
![]() | D-C35EK | D-C35EK HITACHI QFP | D-C35EK.pdf | |
![]() | H9DA8HH4JJAMCR-4EM | H9DA8HH4JJAMCR-4EM HYNIX FBGA | H9DA8HH4JJAMCR-4EM.pdf | |
![]() | G4PH20K | G4PH20K IR SMD or Through Hole | G4PH20K.pdf | |
![]() | TDA7501-4C | TDA7501-4C ST QFP | TDA7501-4C.pdf | |
![]() | LH75411NOM100 | LH75411NOM100 SHARP AYQFP | LH75411NOM100.pdf | |
![]() | PD2003 | PD2003 PIONEER DIP-28P | PD2003.pdf | |
![]() | 7310-121K | 7310-121K SAGAMI SMD or Through Hole | 7310-121K.pdf | |
![]() | KA311D | KA311D ORIGINAL FSC01 | KA311D.pdf | |
![]() | TARR226M004RNJ | TARR226M004RNJ AVX R | TARR226M004RNJ.pdf | |
![]() | RD1A478M12025PL180 | RD1A478M12025PL180 SAMWHA SMD or Through Hole | RD1A478M12025PL180.pdf |