창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-IRFR224PBF | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | IRFR224, IRFU224 | |
| 비디오 파일 | MOSFET Technologies for Power Conversion | |
| PCN 조립/원산지 | SIL-069-2014-Rev-0 23/May/2014 | |
| EDA/CAD 모델 | Accelerated Designs에서 다운로드 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Vishay Siliconix | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 250V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 3.8A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 1.1옴 @ 2.3A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 14nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 260pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 2.5W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | TO-252-3, DPak(2리드(lead)+탭), SC-63 | |
| 공급 장치 패키지 | D-Pak | |
| 표준 포장 | 75 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | IRFR224PBF | |
| 관련 링크 | IRFR22, IRFR224PBF 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통 | |
![]() | VJ0603D2R4DXPAJ | 2.4pF 250V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0603(1608 미터법) 0.063" L x 0.031" W(1.60mm x 0.80mm) | VJ0603D2R4DXPAJ.pdf | |
![]() | CHF3020DBF101R | RES CHAS MNT 100 OHM 5% 25W | CHF3020DBF101R.pdf | |
![]() | IDT2305-1DLG | IDT2305-1DLG IDT SOP-8 | IDT2305-1DLG.pdf | |
![]() | 3910-2000T+3448-3910+3443-71 | 3910-2000T+3448-3910+3443-71 M SMD or Through Hole | 3910-2000T+3448-3910+3443-71.pdf | |
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![]() | C0603CH1E680JT | C0603CH1E680JT TDK SMD or Through Hole | C0603CH1E680JT.pdf | |
![]() | CMT2TR10F | CMT2TR10F ORIGINAL SMD or Through Hole | CMT2TR10F.pdf | |
![]() | 4615M-101-471 | 4615M-101-471 BOURNS DIP | 4615M-101-471.pdf | |
![]() | S29GL032A90TF1R3 | S29GL032A90TF1R3 SPANSION TSOP48 | S29GL032A90TF1R3.pdf | |
![]() | 4-1775800-3 | 4-1775800-3 AMP/TYCO SMD or Through Hole | 4-1775800-3.pdf |