창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-IRFR214TRL | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 납 함유 / RoHS 미준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | IRFR,IRFU,SiHFR,SiHFU_214 | |
| 비디오 파일 | MOSFET Technologies for Power Conversion | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Vishay Siliconix | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 250V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 2.2A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 2옴 @ 1.3A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 8.2nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 140pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 2.5W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | TO-252-3, DPak(2리드(lead)+탭), SC-63 | |
| 공급 장치 패키지 | D-Pak | |
| 표준 포장 | 3,000 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | IRFR214TRL | |
| 관련 링크 | IRFR21, IRFR214TRL 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통 | |
![]() | LLA215R71A224MA14L | 0.22µF 10V 세라믹 커패시터 X7R 0805(2012 미터법) 0.079" L x 0.049" W(2.00mm x 1.25mm) | LLA215R71A224MA14L.pdf | |
![]() | VJ0805D1R5DXBAP | 1.5pF 100V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0805(2012 미터법) 0.079" L x 0.049" W(2.00mm x 1.25mm) | VJ0805D1R5DXBAP.pdf | |
![]() | 1-1423161-5 | RELAY TIME DELAY | 1-1423161-5.pdf | |
![]() | RT0805CRB07330RL | RES SMD 330 OHM 0.25% 1/8W 0805 | RT0805CRB07330RL.pdf | |
![]() | P60N05 | P60N05 ST TO-220 | P60N05.pdf | |
![]() | STT162M14M/S974 | STT162M14M/S974 SW SMD or Through Hole | STT162M14M/S974.pdf | |
![]() | CAF96323AA_3 | CAF96323AA_3 LAIRDTECHNOLOGIES SMD or Through Hole | CAF96323AA_3.pdf | |
![]() | HZM8.2NB | HZM8.2NB HITACHI SMD or Through Hole | HZM8.2NB.pdf | |
![]() | LM2654M | LM2654M NS SOP-8 | LM2654M.pdf | |
![]() | 2N4033JX | 2N4033JX SEM SMD or Through Hole | 2N4033JX.pdf | |
![]() | MC908QYICPE | MC908QYICPE ORIGINAL DIP | MC908QYICPE.pdf | |
![]() | 1013-00-1DS | 1013-00-1DS ALLEGRO DIP | 1013-00-1DS.pdf |